[發明專利]一種硅片晶圓半自動切割工藝在審
| 申請號: | 201711180324.8 | 申請日: | 2017-11-23 |
| 公開(公告)號: | CN107887268A | 公開(公告)日: | 2018-04-06 |
| 發明(設計)人: | 葛建秋;張彥;陳玲 | 申請(專利權)人: | 江陰蘇陽電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/304 | 分類號: | H01L21/304;H01L21/67 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 214400 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 硅片 半自動 切割 工藝 | ||
技術領域
本發明涉及芯片劃片行業,具體涉及一種硅片晶圓半自動切割工藝。
背景技術
隨著科技發展,電子產業突飛猛進,各種集成、控制電路需求急劇增長,對芯片封裝的需求也增長迅猛。
芯片封裝是指,將精密的半導體集成電路芯片安裝到框架上,然后利用引線將芯片與框架引腳相連接,最后用環氧樹脂將半導體集成電路芯片固封起來,外界通過引腳與內部的芯片進行信號傳輸。封裝主要是對精密的半導體集成電路芯片進行固封,使半導體集成電路芯片在發揮作用的同時,不受外界濕度、灰塵的影響,同時提供良好的抗機械振動或沖擊保護,提高半導體集成電路芯片的適用性。同時封裝在金屬框架上,增加了散熱面積,提高了芯片的運行可靠性。
硅片在進行切割過程中,需要確保切割的精度和切刀走刀的準確性。
現需要一種硅片晶圓半自動切割工藝,以期可以解決上述技術問題。
發明內容
本發明的目的是提供一種硅片晶圓半自動切割工藝,以彌補現有測量過程中的不足。
為了達到上述目的,本發明提供了一種硅片晶圓半自動切割工藝,步驟如下:
(1)從主菜單下,按F2鍵,工作盤自動的移到顯微鏡下,此時半自動切割界面出現;
(2)按F4鍵,單一街區校準界面出現;
(3)完成上述調整后,在執行切割前,應通過選擇F5(向后切)和F10(向前切)來選擇切割方向;
(4)按“C/T VAC” 鍵,再按“C/T VAC”鍵,工作盤自動的向右移動且顯微鏡移到后面,然后真空關閉。此時可取下工件。
優選地,在步驟(1)中,通過調整顯示器右邊的光線調節旋鈕和顯微鏡右側的焦距調節旋鈕,使得工件在屏幕上清晰的顯示。
優選地,在步驟(2)中,CH1的θ校準和切割區與基準線校準及步進效驗方法同自動切割相同。
優選地,在步驟(3)中,確認切割方向后,按“START”鍵,此時半自動切割開始,機器上面的信號塔的綠燈亮起,主軸自動旋轉到設置的轉速,切割水自動打開。直到CH1切割完畢,切割的起始點,可以自選。
本發明的一種硅片晶圓半自動切割工藝,切割過程確保走刀位置的準確性,和切割的精度,操作簡單,切割速度快。
具體實施方式
本發明的目的是提供一種硅片晶圓半自動切割工藝,以彌補現有測量過程中的不足。
為了達到上述目的,本發明提供了一種硅片晶圓半自動切割工藝,步驟如下:
(1)從主菜單下,按F2鍵,工作盤自動的移到顯微鏡下,此時半自動切割界面出現;
(2)按F4鍵,單一街區校準界面出現;
(3)完成上述調整后,在執行切割前,應通過選擇F5(向后切)和F10(向前切)來選擇切割方向;
(4)按“C/T VAC” 鍵,再按“C/T VAC”鍵,工作盤自動的向右移動且顯微鏡移到后面,然后真空關閉。此時可取下工件。
其中,在步驟(1)中,通過調整顯示器右邊的光線調節旋鈕和顯微鏡右側的焦距調節旋鈕,使得工件在屏幕上清晰的顯示。
其中,在步驟(2)中,CH1的θ校準和切割區與基準線校準及步進效驗方法同自動切割相同。
其中,在步驟(3)中,確認切割方向后,按“START”鍵,此時半自動切割開始,機器上面的信號塔的綠燈亮起,主軸自動旋轉到設置的轉速,切割水自動打開。直到CH1切割完畢,切割的起始點,可以自選。
本發明的一種硅片晶圓半自動切割工藝,切割過程確保走刀位置的準確性,和切割的精度,操作簡單,切割速度快。
以上顯示和描述了本發明的基本原理、主要特征及優點。本行業的技術人員應該了解,本發明不受上述實施例的限制,上述實施例和說明書中描述的只是說明本發明的原理,在不脫離本發明精神和范圍的前提下,本發明還會有各種變化和改進,這些變化和改進都落入要求保護的本發明范圍內。本發明要求保護范圍由所附的權利要求書及其等效物界定。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





