[發(fā)明專利]一種硅片晶圓半自動切割工藝在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711180324.8 | 申請日： | 2017-11-23 |
| 公開（公告）號： | CN107887268A | 公開（公告）日： | 2018-04-06 |
| 發(fā)明（設計）人： | 葛建秋;張彥;陳玲 | 申請（專利權(quán)）人： | 江陰蘇陽電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/304 | 分類號： | H01L21/304;H01L21/67 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 214400 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 硅片 半自動 切割 工藝 | ||
1.一種硅片晶圓半自動切割工藝，其特征在于，包括如下步驟：
（1）從主菜單下，按F2鍵，工作盤自動的移到顯微鏡下，此時半自動切割界面出現(xiàn)；
（2）按F4鍵，單一街區(qū)校準界面出現(xiàn)；
（3）完成上述調(diào)整后，在執(zhí)行切割前，應通過選擇F5（向后切）和F10（向前切）來選擇切割方向；
（4）按“C/T VAC” 鍵，再按“C/T VAC”鍵，工作盤自動的向右移動且顯微鏡移到后面，然后真空關閉。此時可取下工件。
2.根據(jù)權(quán)利1所述的一種硅片晶圓半自動切割工藝，其特征在于，在步驟（1）中，通過調(diào)整顯示器右邊的光線調(diào)節(jié)旋鈕和顯微鏡右側(cè)的焦距調(diào)節(jié)旋鈕，使得工件在屏幕上清晰的顯示。
3.根據(jù)權(quán)利1所述的一種硅片晶圓半自動切割工藝，其特征在于，在步驟（2）中，CH1的θ校準和切割區(qū)與基準線校準及步進效驗方法同自動切割相同。
4.根據(jù)權(quán)利1所述的一種硅片晶圓半自動切割工藝，其特征在于，在步驟（3）中，確認切割方向后，按“START”鍵，此時半自動切割開始，機器上面的信號塔的綠燈亮起，主軸自動旋轉(zhuǎn)到設置的轉(zhuǎn)速，切割水自動打開。直到CH1切割完畢，切割的起始點，可以自選。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
