[發明專利]集成電路、用于形成集成電路的系統和方法

有效

• 申請號: 201711176345.2
• 申請日: 2017-11-22
• 公開（公告）號: CN108133933B
• 公開（公告）日: 2021-01-22
• 發明（設計）人: 蕭錦濤;陳志良;楊超源;莊惠中;曾健庭;邱奕勛
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L27/092;H01L27/118;H01L27/085;G06F30/392
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

一種集成電路結構包括第一阱、以及第一注入集合和第二注入集合。第一阱包括第一摻雜劑類型、在第一方向上延伸并具有第一寬度的第一部分、和與第一部分相鄰的第二部分。第二部分在第一方向上延伸并且具有大于第一寬度的第二寬度。第一注入集合在第一阱的第一部分中，并且第二注入集合在第一阱的第二部分中。第一注入集合中的至少一個注入被配置為耦合至第一電源電壓。第二注入集合中的每個注入具有不同于第一注入集合的第一摻雜劑類型的第二摻雜劑類型。本發明的實施例還涉及集成電路、用于形成集成電路的系統和方法。

技術領域

本發明的實施例涉及集成電路、用于形成集成電路的系統和方法。

背景技術

集成電路的物理尺寸變小，并且器件中包括的晶體管的數量增加，集成電路中使用更小的線寬，并且其中的晶體管更靠近在一起。閉鎖(Latchup)是一種有時在集成電路中發生的短路類型。為了防止閉鎖，一些集成電路包括分接單元(tap cell)。但是，分接單元可能會增加集成電路的總體尺寸。

發明內容

本發明的實施例涉及一種集成電路結構，包括：第一阱，所述第一阱包括：第一摻雜劑類型；在第一方向上延伸并且具有第一寬度的第一部分，以及與所述第一部分相鄰的第二部分，所述第二部分在所述第一方向上延伸并且具有大于所述第一寬度的第二寬度；所述第一阱的所述第一部分中的第一注入集合，所述第一注入集合中的每個注入具有所述第一摻雜劑類型并且在所述第一方向上彼此分離，并且所述第一注入集合的至少一個注入被配置為耦合至第一電源電壓，以及所述第一阱的所述第二部分中的第二注入集合，所述第二注入集合中的每個注入具有不同于所述第一摻雜劑類型的第二摻雜劑類型并且在所述第一方向上彼此分離，并且所述第二注入集合在與所述第一方向不同的第二方向上與所述第一注入集合分離。

本發明的另一實施例提供了一種集成電路設計系統，包括：編碼有指令集合的非暫時性存儲介質；硬件處理器，與所述非暫時性存儲介質通信地耦合并且配置為執行所述指令集合，所述指令集合被配置為使所述處理器：在布局層級上放置分接單元布局圖案，所述分接單元布局圖案對應于制造集成電路結構的分接單元，被配置為放置所述分接單元布局圖案的所述指令集合包括以下指令：在第一布局層級上放置第一阱布局圖案，所述第一阱布局圖案對應于制造所述集成電路結構的第一阱，所述第一阱具有第一摻雜劑類型，放置所述第一阱布局圖案的指令包括以下指令：放置在第一方向上延伸并且具有第一寬度的第一布局圖案，所述第一布局圖案對應于制造所述第一阱的第一部分，以及與所述第一布局圖案相鄰地放置第二布局圖案，所述第二布局圖案在所述第一方向上延伸并且具有大于所述第一寬度的第二寬度，所述第二布局圖案對應于制造所述第一阱的至少第二部分；在第二布局層級上放置第一注入布局圖案，所述第一注入布局圖案在所述第一方向上延伸、與所述第一布局圖案重疊并且具有大于所述第一寬度的第三寬度，所述第一注入布局圖案對應于制造所述集成電路結構的所述第一阱的所述第一部分中的第一注入集合，所述第一注入集合的每個注入具有所述第一摻雜劑類型并且在所述第一方向上彼此分離，并且所述第一注入集合中的至少一個注入被配置為耦合至第一電源電壓，以及在所述第二布局層級上放置第二注入布局圖案，所述第二注入布局圖案與所述第一注入布局圖案相鄰、在所述第一方向上延伸、位于所述第二布局圖案上方并且具有第四寬度，所述第二注入布局圖案對應于制造所述集成電路結構的所述第一阱的所述第二部分中的第二注入集合，所述第二注入集合的每個注入具有第二摻雜劑類型并且在所述第一方向上彼此分離。