[發(fā)明專利]集成電路、用于形成集成電路的系統(tǒng)和方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711176345.2
• 申請日: 2017-11-22
• 公開（公告）號: CN108133933B
• 公開（公告）日: 2021-01-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蕭錦濤;陳志良;楊超源;莊惠中;曾健庭;邱奕勛
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L27/092;H01L27/118;H01L27/085;G06F30/392
• 代理公司: 北京德恒律治知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種集成電路結(jié)構(gòu)，包括：

第一阱，所述第一阱包括：

第一摻雜劑類型；

在第一方向上延伸并且具有第一寬度的第一部分，以及

與所述第一部分相鄰的第二部分，所述第二部分在所述第一方向上延伸并且具有大于所述第一寬度的第二寬度；

所述第一阱的所述第一部分中的第一注入集合，所述第一注入集合中的每個注入具有所述第一摻雜劑類型并且在所述第一方向上彼此分離，并且所述第一注入集合的至少一個注入被配置為耦合至第一電源電壓；

所述第一阱的所述第二部分中的第二注入集合，所述第二注入集合中的每個注入具有不同于所述第一摻雜劑類型的第二摻雜劑類型并且在所述第一方向上彼此分離，并且所述第二注入集合在與所述第一方向不同的第二方向上與所述第一注入集合分離；以及

柵極集合，與所述第一阱重疊，其中，所述柵極集合的每個柵極均在所述第一方向上彼此分離且在所述第二方向上延伸，所述第一注入集合的至少一個注入位于所述柵極集合的一對柵極之間，所述第二注入集合的每個注入均在所述柵極集合的一對柵極之間。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路結(jié)構(gòu)，還包括：

與所述第一阱的所述第二部分相鄰的第二阱，所述第二阱具有所述第二摻雜劑類型和第三寬度，所述第二阱在所述第二方向上與所述第一阱的所述第一部分分離，以及

所述第二阱中的第三注入集合，所述第三注入集合中的每個注入具有所述第二摻雜劑類型并且在所述第一方向上彼此分離，并且所述第三注入集合中的至少一個注入被配置為耦合至第二電源電壓。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其中，所述第一阱的所述第一部分和所述第一注入集合對應(yīng)于分結(jié)單元的具有所述第一摻雜劑類型的第一部分，

所述第二阱和所述第三注入集合對應(yīng)于所述分結(jié)單元的具有所述第二摻雜劑類型的第二部分。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路結(jié)構(gòu)，還包括：

標(biāo)準(zhǔn)單元集合，包括晶體管集合并且被排列成行和列，

其中，所述第一阱的所述第二部分在所述第一方向上連續(xù)地延伸穿過所述標(biāo)準(zhǔn)單元集合。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其中，所述標(biāo)準(zhǔn)單元集合還包括：

第二阱，在所述第一方向上延伸，在所述第一方向上與所述第一阱的所述第一部分分離，并且具有所述第二摻雜劑類型；以及

在所述第二阱中的第三注入集合，所述第三注入集合的每個注入具有所述第一摻雜劑類型并且在所述第一方向上彼此分離。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其中，

所述第二注入集合被布置為在所述第一方向上連續(xù)地延伸穿過所述標(biāo)準(zhǔn)單元集合，以及

所述第一阱的所述第一部分和所述第一注入集合被布置為不在所述第一方向上連續(xù)地延伸穿過所述標(biāo)準(zhǔn)單元集合。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其中，所述晶體管集合包括：

P型晶體管子集，位于所述第一阱的所述第二部分內(nèi)，以及

N型晶體管子集，位于所述第二阱中。

8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其中，

所述第一阱的所述第二部分位于所述第一阱的所述第一部分和所述第二阱之間；

所述第二電源電壓與所述第一電源電壓不同；

所述第一阱的所述第二部分的所述第二寬度大于所述第二阱的所述第三寬度；或

所述第一阱的所述第一部分的所述第一寬度等于所述第二阱的所述第三寬度。