[發明專利]半導體器件

有效

• 申請號: 201711171980.1
• 申請日: 2017-11-22
• 公開（公告）號: CN108091653B
• 公開（公告）日: 2023-09-26
• 發明（設計）人: 洪承秀;李正允;成金重;鄭鉉澔;郭玟燦;閔庚石;吳憐默;禹宰勛;林青美
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/092
• 分類號: H01L27/092;H01L21/8238
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 王新華

1.一種半導體器件，包括：

在基板上的第一有源圖案和第二有源圖案；

第一柵電極和第二柵電極，分別跨過所述第一有源圖案和所述第二有源圖案；

第一絕緣圖案，在所述第一柵電極和所述第二柵電極之間并使所述第一柵電極和所述第二柵電極分隔開；

柵間隔物，在所述第一柵電極的側壁上、在所述第二柵電極的側壁上以及在所述第一絕緣圖案的側壁上；以及

第二絕緣圖案，在所述柵間隔物與所述第一絕緣圖案的側壁之間，

其中所述第一柵電極、所述第一絕緣圖案和所述第二柵電極沿第一方向布置，

其中所述柵間隔物在所述第一方向上延伸，

其中所述第二絕緣圖案在所述基板與所述第一絕緣圖案的底表面之間，以及

其中所述第二絕緣圖案包括在所述基板與所述第一絕緣圖案的所述底表面之間的凹進區域。

2.如權利要求1所述的半導體器件，其中所述第一絕緣圖案的頂表面與所述第一柵電極的頂表面和所述第二柵電極的頂表面共平面。

3.如權利要求1所述的半導體器件，還包括在所述基板中并限定所述第一有源圖案和所述第二有源圖案的器件隔離層，所述第一絕緣圖案和所述第二絕緣圖案豎直地交疊所述器件隔離層。

4.如權利要求3所述的半導體器件，其中所述第一絕緣圖案與所述器件隔離層的頂表面直接接觸。

5.如權利要求1所述的半導體器件，還包括在所述第一有源圖案與所述第一柵電極之間以及在所述第一絕緣圖案與所述第一柵電極之間的柵電介質圖案。

6.如權利要求1所述的半導體器件，其中所述第一絕緣圖案包括在其上部的延伸部，所述延伸部位于所述柵間隔物的頂表面上。

7.如權利要求6所述的半導體器件，其中所述第二絕緣圖案在所述延伸部的底表面與所述柵間隔物的所述頂表面之間。

8.如權利要求1所述的半導體器件，還包括覆蓋所述第一柵電極和所述第二柵電極的頂表面以及所述第一絕緣圖案的頂表面的柵覆蓋圖案。

9.如權利要求1所述的半導體器件，其中：

所述第一有源圖案和所述第二有源圖案的每個包括溝道區和跨越所述溝道區彼此間隔開的一對源/漏區，

所述第一柵電極在所述第一有源圖案的所述溝道區上，并且

所述第二柵電極在所述第二有源圖案的所述溝道區上。

10.如權利要求1所述的半導體器件，其中：

所述第一有源圖案和所述第一柵電極構成PMOSFET，并且

所述第二有源圖案和所述第二柵電極構成NMOSFET。

11.如權利要求1所述的半導體器件，其中：

所述第一柵電極圍繞所述第一有源圖案的頂表面和兩個相反的側壁，并且

所述第二柵電極圍繞所述第二有源圖案的頂表面和兩個相反的側壁。

12.一種半導體器件，包括：

在基板上的PMOSFET區域和NMOSFET區域；

跨過所述PMOSFET區域的第一柵電極；

跨過所述NMOSFET區域的第二柵電極；以及

第一絕緣圖案和第二絕緣圖案，在所述第一柵電極和所述第二柵電極之間，

其中所述第一絕緣圖案包括彼此相反的第一側壁和第二側壁以及彼此相反的第三側壁和第四側壁，

其中所述第一柵電極和所述第二柵電極分別面對所述第一側壁和所述第二側壁，所述第二絕緣圖案覆蓋所述第三側壁和所述第四側壁，

其中所述第二絕緣圖案在所述基板與所述第一絕緣圖案的底表面之間，以及

其中所述第二絕緣圖案包括在所述基板與所述第一絕緣圖案的所述底表面之間的凹進區域。