[發明專利]半導體器件

有效

• 申請號: 201711171980.1
• 申請日: 2017-11-22
• 公開（公告）號: CN108091653B
• 公開（公告）日: 2023-09-26
• 發明（設計）人: 洪承秀;李正允;成金重;鄭鉉澔;郭玟燦;閔庚石;吳憐默;禹宰勛;林青美
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/092
• 分類號: H01L27/092;H01L21/8238
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 王新華

本公開提供了半導體器件。一種半導體器件包括：在基板上的第一有源圖案和第二有源圖案；第一柵電極和第二柵電極，分別跨過第一有源圖案和第二有源圖案；第一絕緣圖案，在第一柵電極和第二柵電極之間并使第一柵電極和第二柵電極分隔開；柵間隔物，在第一柵電極的側壁上、在第二柵電極的側壁上以及在第一絕緣圖案的側壁上；以及第二絕緣圖案，在柵間隔物與第一絕緣圖案的側壁之間，其中第一柵電極、第一絕緣圖案和第二柵電極沿第一方向布置，并且其中柵間隔物在第一方向上延伸。

技術領域

本公開涉及一種半導體器件以及制造該半導體器件的方法，更具體地，涉及包括場效應晶體管的半導體器件以及制造該半導體器件的方法。

背景技術

由于半導體器件的小尺寸、多功能和/或低制造成本，半導體器件被認為是電子產業中的一個重要因素。半導體器件可以被分類為存儲邏輯數據的半導體存儲器件、處理邏輯數據的操作的半導體邏輯器件以及具有存儲元件和邏輯元件兩者的混合式半導體器件中的任一種。隨著電子產業的先進發展，半導體器件已經被越來越要求高集成。例如，半導體器件已經越來越被要求高可靠性、高速度和/或多功能。為了滿足這些要求的特性，半導體器件逐漸變復雜并被高度集成。

發明內容

根據示范性實施方式，一種半導體器件可以包括：在基板上的第一有源圖案和第二有源圖案；第一柵電極和第二柵電極，分別跨過第一有源圖案和第二有源圖案；第一絕緣圖案，插置在第一柵電極和第二柵電極之間并使第一柵電極和第二柵電極分隔開；柵間隔物，在第一柵電極的側壁、第二柵電極的側壁以及第一絕緣圖案的側壁上；以及第二絕緣圖案，插置在柵間隔物與第一絕緣圖案的側壁之間。第一柵電極、第一絕緣圖案和第二柵電極可以沿第一方向布置。柵間隔物可以在第一方向上延伸。

根據示范性實施方式，一種半導體器件可以包括：在基板上的PMOSFET區域和NMOSFET區域；第一柵電極，跨過PMOSFET區域；第二柵電極，跨過NMOSFET區域；以及第一絕緣圖案和第二絕緣圖案，插置在第一柵電極和第二柵電極之間。第一絕緣圖案可以包括彼此相反的第一側壁和第二側壁。第一絕緣圖案還可以包括彼此相反的第三側壁和第四側壁。第一柵電極和第二柵電極可以分別面對第一側壁和第二側壁。第二絕緣圖案可以覆蓋第三側壁和第四側壁。

根據示范性實施方式，一種制造半導體器件的方法可以包括：在基板上形成第一有源圖案和第二有源圖案；形成跨過第一有源圖案和第二有源圖案的犧牲圖案；在犧牲圖案的側壁上形成柵間隔物；去除犧牲圖案的第一部分以形成開口；順序地形成填充開口的下絕緣層和上絕緣層；去除犧牲圖案的第二部分和第三部分以形成第一空的空間和第二空的空間；以及去除下絕緣層的通過第一空的空間和第二空的空間暴露的部分以形成第一絕緣圖案。犧牲圖案的第一部分可以位于第一有源圖案和第二有源圖案之間。犧牲圖案的第二部分可以跨過第一有源圖案。犧牲圖案的第三部分可以跨過第二有源圖案。

根據示范性實施方式，一種半導體器件可以包括：在基板上的第一有源圖案和第二有源圖案；分別跨過第一有源圖案和第二有源圖案的第一柵電極和第二柵電極；第一絕緣圖案，在第一柵電極和第二柵電極之間，第一柵電極、第一絕緣圖案和第二柵電極沿第一方向布置；以及第二絕緣圖案，在第一絕緣圖案的側壁上，第二絕緣圖案沿第一方向延伸。

附圖說明

通過參照附圖詳細描述示范性實施方式，各特征對于本領域普通技術人員來說將變得明顯，附圖中：

圖1示出根據示范性實施方式的半導體器件的俯視圖。

圖2A至圖2D示出分別沿圖1的線A-A'、B-B'、C-C'和D-D'截取的剖視圖。

圖3示出根據示范性實施方式的第一柵電極和第二柵電極以及第一絕緣圖案和第二絕緣圖案的示意性透視圖。

圖4、圖6、圖8、圖10、圖12、圖14、圖16、圖18和圖20示出根據示范性實施方式的制造半導體器件的方法中的多個階段的俯視圖。