[發(fā)明專利]一種太陽能電池的制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711171520.9 | 申請日: | 2017-11-22 |
| 公開(公告)號: | CN107731965A | 公開(公告)日: | 2018-02-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 孫興寧 | 申請(專利權(quán))人: | 奕銘(大連)科技發(fā)展有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 盤錦大工智訊專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙)21244 | 代理人: | 徐淑東,崔雪 |
| 地址: | 116000 遼寧省大*** | 國省代碼: | 遼寧;21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 太陽能電池 制備 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種太陽能電池的制備方法。
背景技術(shù)
太陽能是一種最清潔、最普遍和最有潛力的能源。太陽能發(fā)電裝置又稱為太陽能電池或光伏電池,可以將太陽能直接轉(zhuǎn)換成電能,其發(fā)電原理是基于半導(dǎo)體PN結(jié)的光生伏特效應(yīng)。現(xiàn)有技術(shù)中,硅片的類型主要有P型硅片和N型硅片。
晶體硅太陽電池的效率主要取決于三個方面——吸光量,光電量子效率和光電子的收集效率。其中,光電量子效率是描述被太陽電池吸收的光子轉(zhuǎn)換成電子的比率。提高晶體硅太陽電池的效率則必須要同時提高吸光量,光電轉(zhuǎn)換效率和收集效率。絨面制備是降低光的反射率,增大吸光量的有效手段,消除PN結(jié)的復(fù)合中心能夠有效提高光電量子效率,而晶體硅電池的缺陷、雜質(zhì)、電阻率和PN結(jié)的特性等對光電子收集效率有重要影響。
目前,太陽能電池制作工藝比較復(fù)雜,增加了太陽能電池的制作成本。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提出一種太陽能電池的制備方法,以提高太陽能電池的發(fā)電效率,降低生產(chǎn)成本。
本發(fā)明提供了一種太陽能電池的制備方法,所述方法包括以下過程:
(1)對硅片進行清洗、去損和制絨工藝;
(2)對硅片的背光面進行拋光處理,對的硅片的受光面進行離子注入;
(3)對硅片的背光面進行硼擴散;所述硼擴散采用三溴化硼液態(tài)源擴散法,先在900-1000℃下通氧沉積三溴化硼20-60分鐘,之后不通源在氧氣氛下推進10-60分鐘,然后降溫到800-900℃氧化至少30分鐘,在硅片的背光面生長氧化層;所述氧化層的厚度至少為20納米;
(4)在硅片的背光面形成鈍化層,在硅片的受光面形成減反膜;
(5)在硅片的背光面印刷鋁電極,在受光面印刷銀電極;將所述鋁電極和銀電極進行共燒結(jié),以形成金屬化接觸。
進一步的,所述硅片包括單晶硅片和多晶硅片。
進一步的,所述在硅片的背光面形成鈍化層,在硅片的受光面形成減反膜,包括:
在硅片的表面形成氧化硅鈍化層;
在硅片的背光面形成氧化鋁鈍化層;
在硅片的背光面形成氮化硅鈍化層;
在硅片的受光面形成氮化硅減反膜。
進一步的,所述離子注入的元素為磷元素。
本發(fā)明提出了一種太陽能電池的制備方法,與現(xiàn)有工藝相比,本發(fā)明的制備方法工藝得到了極大簡化,且高溫過程只有兩步,因而電池制備成本低且效率更高;大大簡化了工藝步驟;本發(fā)明的制備方法簡單易行,成本較低,適于推廣應(yīng)用。
具體實施方式
為使本發(fā)明解決的技術(shù)問題、采用的技術(shù)方案和達到的技術(shù)效果更加清楚,下面結(jié)合實施例對本發(fā)明作進一步的詳細說明。可以理解的是,此處所描述的具體實施例僅僅用于解釋本發(fā)明,而非對本發(fā)明的限定。
本發(fā)明提供了一種太陽能電池的制備方法,所述方法包括以下過程:
(1)對硅片進行清洗、去損和制絨工藝;
(2)對硅片的背光面進行拋光處理,對的硅片的受光面進行離子注入;
(3)對硅片的背光面進行硼擴散;所述硼擴散采用三溴化硼液態(tài)源擴散法,先在900-1000℃下通氧沉積三溴化硼20-60分鐘,之后不通源在氧氣氛下推進10-60分鐘,然后降溫到800-900℃氧化至少30分鐘,在硅片的背光面生長氧化層;所述氧化層的厚度至少為20納米;
(4)在硅片的背光面形成鈍化層,在硅片的受光面形成減反膜;
(5)在硅片的背光面印刷鋁電極,在受光面印刷銀電極;將所述鋁電極和銀電極進行共燒結(jié),以形成金屬化接觸。
進一步的,所述硅片包括單晶硅片和多晶硅片。
進一步的,所述在硅片的背光面形成鈍化層,在硅片的受光面形成減反膜,包括:
在硅片的表面形成氧化硅鈍化層;
在硅片的背光面形成氧化鋁鈍化層;
在硅片的背光面形成氮化硅鈍化層;
在硅片的受光面形成氮化硅減反膜。
進一步的,所述離子注入的元素為磷元素。
本發(fā)明一種太陽能電池的制備方法,與現(xiàn)有工藝相比,制備工藝得到了極大簡化,且高溫過程只有兩步,因而電池制備成本低且效率更高;大大簡化了工藝步驟;本發(fā)明的制備方法簡單易行,成本較低,適于推廣應(yīng)用。
最后應(yīng)說明的是:以上各實施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案,而非對其限制;盡管參照前述各實施例對本發(fā)明進行了詳細的說明,本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解:其對前述各實施例所記載的技術(shù)方案進行修改,或者對其中部分或者全部技術(shù)特征進行等同替換,并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實施例技術(shù)方案的范圍。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于奕銘(大連)科技發(fā)展有限公司,未經(jīng)奕銘(大連)科技發(fā)展有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





