[發明專利]一種太陽能電池的制備方法在審
| 申請號： | 201711171520.9 | 申請日： | 2017-11-22 |
| 公開（公告）號： | CN107731965A | 公開（公告）日： | 2018-02-23 |
| 發明（設計）人： | 孫興寧 | 申請（專利權）人： | 奕銘（大連）科技發展有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 盤錦大工智訊專利代理事務所(特殊普通合伙)21244 | 代理人： | 徐淑東,崔雪 |
| 地址： | 116000 遼寧省大*** | 國省代碼： | 遼寧;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 太陽能電池 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種太陽能電池的制備方法，其特征在于，包括以下過程：
(1)對硅片進行清洗、去損和制絨工藝；
(2)對硅片的背光面進行拋光處理，對的硅片的受光面進行離子注入；
(3)對硅片的背光面進行硼擴散；所述硼擴散采用三溴化硼液態源擴散法，先在900-1000℃下通氧沉積三溴化硼20-60分鐘，之后不通源在氧氣氛下推進10-60分鐘，然后降溫到800-900℃氧化至少30分鐘，在硅片的背光面生長氧化層；所述氧化層的厚度至少為20納米；
(4)在硅片的背光面形成鈍化層，在硅片的受光面形成減反膜；
(5)在硅片的背光面印刷鋁電極，在受光面印刷銀電極；將所述鋁電極和銀電極進行共燒結，以形成金屬化接觸。
2.根據權利要求1所述的太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述硅片包括單晶硅片和多晶硅片。
3.根據權利要求1所述的太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述在硅片的背光面形成鈍化層，在硅片的受光面形成減反膜，包括：
在硅片的表面形成氧化硅鈍化層；
在硅片的背光面形成氧化鋁鈍化層；
在硅片的背光面形成氮化硅鈍化層；
在硅片的受光面形成氮化硅減反膜。
4.根據權利要求1所述的太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述離子注入的元素為磷元素。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
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H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
