[發(fā)明專利]電容單元

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711167485.3
• 申請(qǐng)日: 2017-11-21
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108736697A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-11-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃乾燿;林文杰;許家維;蘇郁迪
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H02M1/15
• 分類號(hào): H02M1/15;H01L27/092
• 代理公司: 隆天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 李昕巍;章侃銥

1.一種電容單元，包括：

一第一PMOS晶體管，耦接于一電源供應(yīng)端以及一第一節(jié)點(diǎn)之間，具有耦接于一第二節(jié)點(diǎn)的柵極；

一第一NMOS晶體管，耦接于一接地端以及上述第二節(jié)點(diǎn)之間，具有耦接于上述第一節(jié)點(diǎn)的柵極；

一第二PMOS晶體管，具有耦接于上述第二節(jié)點(diǎn)的漏極與柵極，以及耦接于上述電源供應(yīng)端或是上述第一節(jié)點(diǎn)的源極；以及

一第二NMOS晶體管，具有耦接于上述第一節(jié)點(diǎn)的漏極與柵極，以及耦接于上述接地端或是上述第二節(jié)點(diǎn)的源極。