[發(fā)明專利]光學(xué)防偽元件及光學(xué)防偽產(chǎn)品

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711167143.1
• 申請日: 2017-11-21
• 公開（公告）號: CN109808337B
• 公開（公告）日: 2021-08-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 朱軍;張寶利
• 申請（專利權(quán)）人: 中鈔特種防偽科技有限公司;中國印鈔造幣總公司
• 主分類號: B42D25/30
• 分類號: B42D25/30;G02B3/00
• 代理公司: 北京潤平知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11283
• 代理人: 金旭鵬;肖冰濱

1.一種光學(xué)防偽元件，其特征在于，所述光學(xué)防偽元件包括：

基材，該基材包括彼此相對的第一表面和第二表面；

形成在所述第一表面或所述第二表面且位于所述基材的第一區(qū)域的采樣合成層，該采樣合成層由一個或多個微采樣單元構(gòu)成；以及

形成在所述第一表面或所述第二表面且位于所述基材的第二區(qū)域的微圖像層，所述微圖像層是非周期且無對稱軸的；

所述采樣合成層采用柱面微透鏡或柱面微反射鏡；

其中，當(dāng)使得所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域相互靠近時，所述采樣合成層能夠?qū)λ鑫D像層進(jìn)行采樣合成，從而形成由一個或多個宏觀合成圖像構(gòu)成的視覺特征。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)防偽元件，其特征在于，所述微采樣單元的焦距為所述基材的厚度的整數(shù)倍。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光學(xué)防偽元件，其特征在于，所述微采樣單元的焦距和所述基材的厚度的整數(shù)倍之間的差小于3微米。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光學(xué)防偽元件，其特征在于，所述微采樣單元的焦距和所述基材的厚度的整數(shù)倍之間的差小于1微米。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)防偽元件，其特征在于，所述光學(xué)防偽元件還包括：

光學(xué)輔助層，用于輔助使得所述采樣合成層能夠?qū)λ鑫D像層進(jìn)行采樣合成，

所述微采樣單元的焦距為所述基材的厚度的整數(shù)倍與光學(xué)輔助層的厚度之和。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的光學(xué)防偽元件，其特征在于，

所述微采樣單元的焦距和所述基材的厚度的整數(shù)倍與光學(xué)輔助層的厚度之和之間的差小于3微米。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的光學(xué)防偽元件，其特征在于，

所述微采樣單元的焦距和所述基材的厚度的整數(shù)倍與光學(xué)輔助層的厚度之和之間的差小于1微米。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)防偽元件，其特征在于，所述微采樣單元的焦距范圍是10微米至2毫米。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的光學(xué)防偽元件，其特征在于，

所述微采樣單元的焦距范圍是15微米至200微米。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)防偽元件，其特征在于，所述采樣合成層的加工深度小于30微米。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的光學(xué)防偽元件，其特征在于，所述加工深度的范圍為0.5微米至20微米。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)防偽元件，其特征在于，所述光學(xué)防偽元件還包括：

形成在所述采樣合成層的表面上的反射層，用于將由所述采樣合成而形成的所述一個或多個宏觀合成圖像反射至人眼中。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)防偽元件，其特征在于，所述采樣合成層為微透鏡陣列層。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的光學(xué)防偽元件，其特征在于，所述微透鏡陣列層中的微透鏡陣列為由多個微透鏡單元構(gòu)成的非周期性陣列、隨機性陣列、周期性陣列或局部周期性陣列中的任意一者或其組合。

15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)防偽元件，其特征在于，

所述微圖像層包括一個或多個選擇性光吸收微結(jié)構(gòu)，所述選擇性光吸收微結(jié)構(gòu)用于吸收特定光譜的顏色和效率；以及

所述光學(xué)防偽元件還包括形成在所述一個或多個選擇性光吸收微結(jié)構(gòu)的表面之上的反射層。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的光學(xué)防偽元件，其特征在于，所述選擇性光吸收微結(jié)構(gòu)包括一個或多個下凹的微觀結(jié)構(gòu)。