[發(fā)明專利]有機共軛發(fā)光聚合物與氮化硅的混合集成材料結(jié)構(gòu)及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711166446.1 | 申請日: | 2017-11-21 |
| 公開(公告)號: | CN107946475B | 公開(公告)日: | 2019-11-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 陳鈺杰;樊則明;張彥峰;丘志仁;余思遠 | 申請(專利權(quán))人: | 中山大學(xué) |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56 |
| 代理公司: | 廣州粵高專利商標代理有限公司 44102 | 代理人: | 林麗明 |
| 地址: | 510275 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 有機 共軛 發(fā)光 聚合物 氮化 混合 集成 材料 結(jié)構(gòu) 及其 制備 方法 | ||
本發(fā)明涉及一種有機共軛發(fā)光聚合物與氮化硅的混合集成材料結(jié)構(gòu),包括氮化硅層、有機共軛發(fā)光聚合物層和襯底,其中有機共軛發(fā)光聚合物層設(shè)置在襯底上,氮化硅層設(shè)置在有機共軛發(fā)光聚合物層上。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及有機/無機混合集成材料領(lǐng)域,更具體地,涉及一種有機共軛發(fā)光聚合物與氮化硅的混合集成材料結(jié)構(gòu)及其制備方法。
背景技術(shù)
有機發(fā)光材料是一種性能優(yōu)秀的發(fā)光材料,具有高熒光效率、寬發(fā)光譜、可調(diào)諧性、成本低廉的優(yōu)勢。有機發(fā)光材料包含一個重要的分支——有機共軛發(fā)光聚合物,有機共軛發(fā)光聚合物具有更加優(yōu)秀的材料特性。有機共軛發(fā)光聚合物不僅僅具備有機發(fā)光材料的發(fā)光特性,而且可以溶解在多種有機溶劑中,兼容旋涂和噴墨打印等工藝流程,具有良好的工藝兼容性。另外,有機共軛聚合物的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定,其發(fā)光性能具有良好的溫度穩(wěn)定性。聚對苯撐乙烯及其衍生物作為一種常用的有機共軛發(fā)光聚合物,已經(jīng)被廣泛應(yīng)用在照明,激光和顯示等領(lǐng)域。
有機共軛發(fā)光聚合物的優(yōu)秀特性使得其在集成光學(xué)領(lǐng)域的應(yīng)用需求不斷地提高,然而,有機發(fā)光聚合物不具備直接應(yīng)用在集成光學(xué)器件中的潛力。為了解決這一問題,將有機共軛發(fā)光聚合物與無機材料集成獲得混合材料是一個重要的思路。
目前,氮化硅是一種得到廣泛應(yīng)用的集成光學(xué)材料。一方面,氮化硅材料具有從可見光波段到中紅外波段的良好透光性能,不影響有機共軛發(fā)光聚合物的發(fā)光特性;另一方面,氮化硅材料具有優(yōu)秀的理化特性,可以作為絕緣材料保護有機共軛發(fā)光材料。另外,隨著近年以來氮化硅材料制備工藝的發(fā)展,氮化硅低溫沉積工藝日臻完善,這為直接在有機共軛發(fā)光聚合物上沉積氮化硅提供了條件。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明為解決有機發(fā)光聚合物不能直接應(yīng)用在集成光學(xué)器件中的技術(shù)缺陷,提供了一種有機共軛發(fā)光聚合物與氮化硅的混合集成材料結(jié)構(gòu),該結(jié)構(gòu)在有機共軛發(fā)光聚合物層上沉積氮化硅層,使得有機共軛發(fā)光聚合物層能夠與空氣隔絕,不會因暴露在空氣中而導(dǎo)致發(fā)生降解進而逐步喪失發(fā)光性能。該結(jié)構(gòu)可用于制作有源集成光器件。
為實現(xiàn)以上發(fā)明目的,采用的技術(shù)方案是:
有機共軛發(fā)光聚合物與氮化硅的混合集成材料結(jié)構(gòu),包括氮化硅層、有機共軛發(fā)光聚合物層和襯底,其中有機共軛發(fā)光聚合物層設(shè)置在襯底上,氮化硅層設(shè)置在有機共軛發(fā)光聚合物層上。
優(yōu)選地,所述有機共軛發(fā)光聚合物層為BEHP-PPV薄膜層。聚對苯撐乙烯(BEHP-PPV)及其衍生物作為一種常用的有機共軛發(fā)光聚合物,已經(jīng)被廣泛應(yīng)用在照明,激光和顯示等領(lǐng)域。
優(yōu)選地,所述氮化硅層的厚度為50~350nm。
優(yōu)選地,所述的氮化硅層的面積為1~4cm2。
優(yōu)選地,所述BEHP-PPV薄膜層的厚度為80~120nm。
優(yōu)選地,所述BEHP-PPV薄膜層的面積為1~4cm2。
優(yōu)選地,所述襯底的厚度為500~550μm。
同時,本發(fā)明還提供了一種以上結(jié)構(gòu)的制備方法,其具體的方案如下:
S1.取有機共軛發(fā)光聚合物粉末按照一定的濃度完全溶解于有機溶劑中,獲得有機共軛發(fā)光聚合物溶液;
S2.對襯底的表面進行清洗,清洗完畢后使襯底的表面保持干燥;
S3.對襯底的表面進行改性處理,得到具有表面疏水性的襯底;
S4.將步驟S2得到的有機溶液在襯底的表面進行旋涂,得到有機共軛發(fā)光聚合物層;
S5.對步驟S4得到的有機共軛發(fā)光聚合物層進行固化;
S6.在有機共軛發(fā)光聚合物層上利用低溫沉積技術(shù)沉積氮化硅層。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





