[發(fā)明專利]有機共軛發(fā)光聚合物與氮化硅的混合集成材料結(jié)構(gòu)及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711166446.1
• 申請日: 2017-11-21
• 公開（公告）號: CN107946475B
• 公開（公告）日: 2019-11-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳鈺杰;樊則明;張彥峰;丘志仁;余思遠
• 申請（專利權(quán)）人: 中山大學
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 廣州粵高專利商標代理有限公司 44102
• 代理人: 林麗明

1.一種有機共軛發(fā)光聚合物與氮化硅的混合集成材料結(jié)構(gòu)的制備方法，所述結(jié)構(gòu)包括氮化硅層、有機共軛發(fā)光聚合物層和襯底，其中有機共軛發(fā)光聚合物層設(shè)置在襯底上，氮化硅層設(shè)置在有機共軛發(fā)光聚合物層上；其特征在于：所述制備方法包括有以下步驟：

S1.取有機共軛發(fā)光聚合物粉末按照一定的濃度充分溶解于有機溶劑中，獲得有機共軛發(fā)光聚合物溶液；

S2.對襯底的表面進行清洗，清洗完畢后使襯底的表面保持干燥；

S3.對襯底的表面進行改性處理，得到具有表面疏水性的襯底；

S4.將步驟S2得到的有機溶液在襯底的表面進行旋涂，得到有機共軛發(fā)光聚合物層；

S5.對步驟S4得到的有機共軛發(fā)光聚合物層進行固化；

S6.在有機共軛發(fā)光聚合物層上利用低溫沉積技術(shù)沉積氮化硅層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機共軛發(fā)光聚合物與氮化硅的混合集成材料結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于：所述有機共軛發(fā)光聚合物層為BEHP-PPV薄膜層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機共軛發(fā)光聚合物與氮化硅的混合集成材料結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于：所述氮化硅層的厚度為50～350nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機共軛發(fā)光聚合物與氮化硅的混合集成材料結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于：所述的氮化硅層的面積為1～4cm²。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機共軛發(fā)光聚合物與氮化硅的混合集成材料結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于：所述BEHP-PPV薄膜層的厚度為80～120nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機共軛發(fā)光聚合物與氮化硅的混合集成材料結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于：所述BEHP-PPV薄膜層的面積為1～4cm²。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機共軛發(fā)光聚合物與氮化硅的混合集成材料結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于：所述襯底的厚度為500～550μm。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機共軛發(fā)光聚合物與氮化硅的混合集成材料結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于：所述步驟S5對有機共軛發(fā)光聚合物層進行固化的具體過程如下：將襯底及有機共軛發(fā)光聚合物層構(gòu)成的結(jié)構(gòu)放置在氮氣環(huán)境中，保持環(huán)境溫度90℃超過180min，形成完全固化的有機共軛發(fā)光聚合物層。