[發明專利]半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201711164077.2
• 申請日: 2017-11-21
• 公開（公告）號: CN108122907B
• 公開（公告）日: 2023-07-25
• 發明（設計）人: 崔孝錫;金哲性;李在恩
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/06
• 分類號: H01L27/06;H01L29/08;H01L29/78
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 屈玉華

一種半導體器件包括：基板；形成在基板中的第一凹陷；填充第一凹陷的第一源極/漏極；在第一源極/漏極上的垂直金屬電阻器；以及使金屬電阻器與第一源極/漏極分隔開的絕緣襯墊，該垂直金屬電阻器在兩個柵電極之間。

技術領域

本公開涉及半導體器件及其制造方法。

背景技術

已經提出多柵極晶體管作為等比例縮小技術來增大半導體器件的密度。多柵極晶體管可以包括在基板上的鰭或納米線形狀的硅主體，柵極形成在硅主體的表面上。這樣的多柵極晶體管允許容易的等比例縮小，因為它使用三維溝道。此外，可以增強電流控制能力，而不需要增大多柵極晶體管的柵極長度。此外，可以有效地抑制短溝道效應(SCE)，短溝道效應(SCE)是溝道區域的電勢受漏極電壓影響的現象。

發明內容

根據實施方式的一個方面，提供一種半導體器件，該半導體器件包括：基板；形成在基板中的第一凹陷；填充第一凹陷的第一源極/漏極；垂直地形成在第一源極/漏極上的金屬電阻器；以及絕緣襯墊，用于使金屬電阻器與第一源極/漏極分隔開。

根據實施方式的另一方面，提供一種半導體器件，該半導體器件包括：基板；第一柵電極和第二柵電極，在基板上在第一方向上平行地延伸；分別形成在第一柵電極和第二柵電極的側表面上的第一柵極間隔物和第二柵極間隔物；形成在第一柵電極和第二柵電極之間的第一凹陷；填充第一凹陷的源極/漏極；第二凹陷，以第一柵極間隔物和第二柵極間隔物作為側壁并且以源極/漏極的上表面作為底表面；在源極/漏極上填充第二凹陷的金屬電阻器；以及絕緣襯墊，在金屬電阻器和源極/漏極之間以防止金屬電阻器和源極/漏極之間的接觸。

根據實施方式的另一方面，提供一種半導體器件，該半導體器件包括：基板，包括第一區域和第二區域；第一凹陷和第二凹陷，分別在第一區域和第二區域中形成在基板中；第一源極/漏極和第二源極/漏極，分別填充第一凹陷和第二凹陷；形成在第一源極/漏極上的絕緣襯墊；形成在絕緣襯墊上的金屬電阻器；形成在第二源極/漏極上的硅化物；以及形成在硅化物上的金屬接觸。

根據實施方式的一個方面，提供一種制造半導體器件的方法，該方法包括：在基板上形成在第一方向上平行地延伸的第一虛設柵電極和第二虛設柵電極；分別在第一和第二虛設柵電極的側表面上形成第一柵極間隔物和第二柵極間隔物；以及在基板中，在第一柵電極和第二柵電極之間形成第一源極/漏極；在第一源/漏極上形成絕緣襯墊；以及在絕緣襯墊上，在第一柵極間隔物和第二柵極間隔物之間形成金屬電阻器。

根據實施方式的一個方面，提供一種半導體器件，該半導體器件包括：基板；形成在基板中的第一凹陷；填充第一凹陷的第一源極/漏極；在第一源極/漏極上的垂直金屬電阻器，該垂直金屬電阻器在俯視圖中具有線性形狀；以及絕緣襯墊，使金屬電阻器與第一源極/漏極分隔開。

附圖說明

通過參照附圖詳細描述示范性實施方式，各特征對于本領域普通技術人員來說將變得明顯，附圖中：

圖1示出根據一些示范性實施方式的半導體器件的布局圖；

圖2示出沿圖1的線A-A'截取的截面圖；

圖3示出沿圖1的線B-B'截取的截面圖；

圖4示出沿圖1的線C-C'截取的截面圖；

圖5示出根據一些示范性實施方式的半導體器件的截面圖；

圖6示出根據一些示范性實施方式的半導體器件的截面圖；

圖7示出根據一些示范性實施方式的半導體器件的截面圖；

圖8示出根據一些示范性實施方式的半導體器件的布局圖；

圖9示出沿圖8的線A1-A1'和A2-A2'截取的截面圖；

圖10示出沿圖8的線B1-B1'和B2-B2'截取的截面圖；