[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711164077.2
• 申請日: 2017-11-21
• 公開（公告）號: CN108122907B
• 公開（公告）日: 2023-07-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 崔孝錫;金哲性;李在恩
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/06
• 分類號: H01L27/06;H01L29/08;H01L29/78
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 屈玉華

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

基板；

第一凹陷，形成在所述基板中；

第一源極/漏極，填充所述第一凹陷；

垂直金屬電阻器，在所述第一源極/漏極上；以及

絕緣襯墊，使所述垂直金屬電阻器與所述第一源極/漏極分隔開，

其中所述第一源極/漏極不電連接到所述垂直金屬電阻器。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括：

第一柵電極和第二柵電極，在所述垂直金屬電阻器的相反兩側(cè)；和

第一柵極間隔物和第二柵極間隔物，在所述第一柵電極和所述第二柵電極中的每一個的相反兩側(cè)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，還包括在所述第一柵極間隔物和所述第二柵極間隔物之間的第二凹陷，所述第二凹陷在其上具有所述垂直金屬電阻器和所述絕緣襯墊。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第二凹陷的相反的側(cè)壁分別由所述第一柵極間隔物和所述第二柵極間隔物限定。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，還包括填充在所述第一柵極間隔物和所述第二柵極間隔物之間的層間絕緣膜，所述第二凹陷的相反的側(cè)壁由所述層間絕緣膜限定。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其中所述絕緣襯墊沿著所述第二凹陷的側(cè)壁以填充所述第二凹陷的一部分，并且所述垂直金屬電阻器完全填充所述絕緣襯墊上的所述第二凹陷。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第一柵極間隔物和所述第二柵極間隔物的上表面的高度與所述垂直金屬電阻器的上表面的高度相同。

8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，還包括分別在所述第一柵電極和第二柵電極上的第一覆蓋膜和第二覆蓋膜，所述第一覆蓋膜和所述第二覆蓋膜與所述第一柵極間隔物和所述第二柵極間隔物的內(nèi)表面接觸。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第一覆蓋膜和所述第二覆蓋膜的高度與所述垂直金屬電阻器的高度相同。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括從所述基板突出并在第一方向上延伸的鰭，所述第一凹陷在所述鰭中。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，其中所述垂直金屬電阻器在與所述第一方向交叉的第二方向上在所述鰭上延伸。

12.一種半導(dǎo)體器件，包括：

基板；

第一柵電極和第二柵電極，在所述基板上在第一方向上平行地延伸；

第一柵極間隔物和第二柵極間隔物，分別在所述第一柵電極和所述第二柵電極的側(cè)表面上；

第一凹陷，在所述第一柵電極和所述第二柵電極之間；

源極/漏極，填充所述第一凹陷；

第二凹陷，以所述第一柵極間隔物和所述第二柵極間隔物作為側(cè)壁并以所述源極/漏極的上表面作為底表面；

金屬電阻器，在所述源極/漏極上填充所述第二凹陷；以及

絕緣襯墊，在所述金屬電阻器和所述源極/漏極之間以防止所述金屬電阻器和所述源極/漏極之間的接觸，

其中所述源極/漏極不電連接到所述金屬電阻器。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件，其中所述絕緣襯墊沿著所述第二凹陷的底表面和側(cè)壁填充以填充所述第二凹陷的一部分。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第二凹陷的側(cè)壁包括由所述第一柵極間隔物和所述第二柵極間隔物限定的上側(cè)壁和在所述源極/漏極中的下側(cè)壁。

15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件，還包括從所述基板突出并在與所述第一方向交叉的第二方向上延伸的鰭，所述第一柵電極和所述第二柵電極以及所述第一凹陷和所述第二凹陷在所述鰭上。