[發明專利]一種氧化物薄膜及其制備方法與QLED器件

有效

• 申請號: 201711163315.8
• 申請日: 2017-11-21
• 公開（公告）號: CN109817814B
• 公開（公告）日: 2020-11-17
• 發明（設計）人: 曹蔚然;王宇
• 申請（專利權）人: TCL科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268
• 代理人: 王永文;劉文求

本發明公開一種氧化物薄膜及其制備方法與QLED器件，所述氧化物薄膜由氧化物組成，所述氧化物的化學通式為AB_x1C_(1?x1)O₃，A為二價態的金屬元素、B為三價態的金屬元素、C為四價態的金屬元素，其中，0.05x10.35；或者所述氧化物的化學通式為A_x2B_(1?x2)DO₃，A為二價態的金屬元素、B為三價態的金屬元素、D為三價態的金屬元素，其中，0.02x20.35。本發明摻雜的AB_x1C_(1?x1)O₃或A_x2B_(1?x2)DO₃具有傳輸空穴的作用，將本發明上述薄膜作為空穴功能層應用于QLED器件中，可提高器件的空穴傳輸能力。

技術領域

本發明涉及發光二極管技術領域，尤其涉及一種氧化物薄膜及其制備方法與QLED器件。

背景技術

ACO₃(其中A=Ca、Sr、Ba，C=Ti、Zr、Sn等)和BDO₃(其中B=Fe、Al、Ga，D=La、Sc等)為鈣鈦礦結構材料，具有極其穩定的性能，被應用到光伏器件或者傳感器中。其作為n型寬帶隙半導體材料，經常被用作電子傳輸層。目前將ACO₃或BDO₃作為空穴傳輸層還鮮有報道。而ACO₃或BDO₃鈣鈦礦類型結構的金屬氧化物由于其電子和空穴很容易受到化學計量比和金屬價態的影響，因此可以通過摻雜改變ACO₃或BDO₃金屬氧化物中的空穴電子濃度以使其傳輸空穴。而QLED器件中不同顏色發光對空穴的傳輸能力也是不同的，因此還需要對ACO₃或BDO₃空穴的遷移率進行改變，使得QLED器件中電荷注入更加平衡，進而才能更好的應用到QLED中。

發明內容

鑒于上述現有技術的不足，本發明的目的在于提供一種氧化物薄膜及其制備方法與QLED器件，旨在解決現有ACO₃或BDO₃無法作為空穴傳輸層的問題。

本發明的技術方案如下：

一種氧化物薄膜，其中，所述氧化物薄膜由氧化物組成，所述氧化物的化學通式為AB_x1C_(1-x1)O₃，A為二價態的金屬元素、B為三價態的金屬元素、C為四價態的金屬元素，其中，0.05x10.35；

或者所述氧化物的化學通式為A_x2B_(1-x2)DO₃，A為二價態的金屬元素、B為三價態的金屬元素、D為三價態的金屬元素，其中，0.02x20.35。

所述的氧化物薄膜，其中，所述A選自Ca、Sr和Ba中的一種。

所述的氧化物薄膜，其中，所述B選自Fe、Al和Ga中的一種。

所述的氧化物薄膜，其中，所述C選自Ti、Zr和Sn中的一種。

所述的氧化物薄膜，其中，所述D選自La和Sc中的一種。

一種氧化物薄膜的制備方法，其中，包括步驟:

將二價態的金屬元素A的鹽、三價態的金屬元素B的鹽和四價態的金屬元素C的鹽混合于雙氧水中，所述A、B與C的摩爾比為1: x1:（1-x1），其中0.05x10.35；或是將二價態的金屬元素A的鹽、三價態的金屬元素B的鹽和三價態的金屬元素D的鹽混合于雙氧水中，所述A、B與D的摩爾比為x2:（1-x2）:1，其中0.02x20.35；