[發明專利]一種氧化物薄膜及其制備方法與QLED器件

有效

• 申請號: 201711163315.8
• 申請日: 2017-11-21
• 公開（公告）號: CN109817814B
• 公開（公告）日: 2020-11-17
• 發明（設計）人: 曹蔚然;王宇
• 申請（專利權）人: TCL科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268
• 代理人: 王永文;劉文求

1.一種QLED器件，所述QLED器件包括空穴功能層，其特征在于，所述空穴功能層為氧化物薄膜，所述氧化物薄膜由氧化物組成，所述氧化物的化學通式為AB_x1C_(1-x1)O₃，A為二價態的金屬元素、B為三價態的金屬元素、C為四價態的金屬元素，其中，0.05x10.35；

或者所述氧化物的化學通式為A_x2B_(1-x2)DO₃，A為二價態的金屬元素、B為三價態的金屬元素、D為三價態的金屬元素，其中，0.02x20.35；

所述AB_x1C_(1-x1)O₃中，所述A選自Sr和Ba中的一種，所述B選自Al和Ga中的一種，所述C選自Zr和Sn中的一種；

所述A_x2B_(1-x2)DO₃中，所述A選自Sr和Ba中的一種，所述B選自Fe、Ga和La中的一種，所述D選自Al和Sc中的一種。

2.一種QLED器件的制備方法，所述QLED器件包括空穴功能層，其特征在于，所述空穴功能層為氧化物薄膜，所述氧化物薄膜的制備方法包括步驟:

將二價態的金屬元素A的鹽、三價態的金屬元素B的鹽和四價態的金屬元素C的鹽混合于雙氧水中，所述A、B與C的摩爾比為1:x1:(1-x1)，其中0.05x10.35；或是將二價態的金屬元素A的鹽、三價態的金屬元素B的鹽和三價態的金屬元素D的鹽混合于雙氧水中，所述A、B與D的摩爾比為x2:(1-x2):1，其中0.02x20.35；

將堿加入所述雙氧水中進行反應，得到AB_x1C_(1-x1)O₃或A_x2B_(1-x2)DO₃；

將AB_x1C_(1-x1)O₃或A_x2B_(1-x2)DO₃分散于溶劑中，得到AB_x1C_(1-x1)O₃溶液或A_x2B_(1-x2)DO₃溶液；沉積所述AB_x1C_(1-x1)O₃溶液或A_x2B_(1-x2)DO₃溶液，制備得到AB_x1C_(1-x1)O₃薄膜或A_x2B_(1-x2)DO₃薄膜；

所述AB_x1C_(1-x1)O₃中，所述A選自Sr和Ba中的一種，所述B選自Al和Ga中的一種，所述C選自Zr和Sn中的一種；

所述A_x2B_(1-x2)DO₃中，所述A選自Sr和Ba中的一種，所述B選自Fe、Ga和La中的一種，所述D選自Al和Sc中的一種。

3.一種QLED器件的制備方法，所述QLED器件包括空穴功能層，其特征在于，所述空穴功能層為氧化物薄膜，所述氧化物薄膜的制備方法包括步驟:

將二價態的金屬元素A的碳酸鹽、三價態的金屬元素B的碳酸鹽和四價態的金屬元素C的碳酸鹽混合，所述A、B與C的摩爾比為1:x1:(1-x1)，其中0.05x10.35；或是將二價態的金屬元素A的氧化物、三價態的金屬元素B的氧化物、四價態的金屬元素C的氧化物混合，所述A、B與C的摩爾比為1:x1:(1-x1)，其中0.05x10.35；或是將二價態的金屬元素A的碳酸鹽、三價態的金屬元素B的碳酸鹽、三價態的金屬元素D的碳酸鹽混合，所述A、B與D的摩爾比為x2:(1-x2):1，其中0.02x20.35；或是將二價態的金屬元素A的氧化物、三價態的金屬元素B的氧化物、三價態的金屬元素D的氧化物混合，所述A、B與D的摩爾比為x2:(1-x2):1，其中0.02x20.35；

對混合物依次進行粉碎、退火處理，得到AB_x1C_(1-x1)O₃或A_x2B_(1-x2)DO₃；

沉積所述AB_x1C_(1-x1)O₃或A_x2B_(1-x2)DO₃，制備得到AB_x1C_(1-x1)O₃薄膜或A_x2B_(1-x2)DO₃薄膜；

所述AB_x1C_(1-x1)O₃中，所述A選自Sr和Ba中的一種，所述B選自Al和Ga中的一種，所述C選自Zr和Sn中的一種；

所述A_x2B_(1-x2)DO₃中，所述A選自Sr和Ba中的一種，所述B選自Fe、Ga和La中的一種，所述D選自Al和Sc中的一種。