[發明專利]基板處理裝置有效
| 申請號: | 201711162642.1 | 申請日: | 2017-11-21 |
| 公開(公告)號: | CN108091598B | 公開(公告)日: | 2023-03-28 |
| 發明(設計)人: | 永田朋幸 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/673 | 分類號: | H01L21/673 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;張會華 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 裝置 | ||
本發明提供一種能夠使基板處理的面內均勻性提高的基板處理裝置。一實施方式的基板處理裝置具有:處理容器;旋轉軸,其設為能夠貫穿于所述處理容器的開口部,且在上下方向延伸;支承部,其設置于所述旋轉軸的上端;基板保持器具,其載置于所述支承部上,該基板保持器具在上下方向具有預定間隔且大致水平地保持多個基板;以及重心位置調整構件,其配置于所述支承部的預定區域,該重心位置調整構件對繞所述旋轉軸旋轉的、包括所述支承部和所述基板保持器具在內的旋轉體的重心位置進行調整。
技術領域
本發明涉及基板處理裝置。
背景技術
以往以來,公知有一種立式熱處理裝置,在該立式熱處理裝置中,使用晶圓舟皿,對多個基板一并(成批)進行熱處理,該晶圓舟皿以能夠繞預定的旋轉軸旋轉的方式設置于處理容器內,該晶圓舟皿在上下方向具有預定間隔且大致水平地保持多個基板。
作為晶圓舟皿,公知有如下構造:在例如上下相對配置的頂板與底板之間設置有多根支柱,在各支柱的內側面以大致等間隔形成有多個槽部,晶圓的周緣部插入并支承于槽部(參照例如專利文獻1)。另外,公知有如下構造:在例如上下相對配置的頂板與底板之間設置有多根支柱,在多根支柱設置有具備平坦的支承面的環構件,利用環構件的支承面支承晶圓(參照例如專利文獻2)。
不過,在這樣的晶圓舟皿中,在與插入晶圓的一側相反的一側配置有支柱,在插入晶圓的一側沒有配置支柱。其原因在于,在插入晶圓之際晶圓與支柱不發生干涉。因此,包括繞旋轉軸旋轉的晶圓舟皿在內的旋轉體的重心位置就自旋轉軸的中心向配置有支柱的一側偏移。若旋轉體的重心位置偏移,則晶圓舟皿以傾斜的狀態旋轉,因此,處理容器的內表面與晶圓舟皿易于接觸。因此,為了避免處理容器的內表面與晶圓舟皿接觸,在處理容器的內表面與晶圓舟皿之間設置有充分的間隙,以使兩者不會接觸。
專利文獻1:日本特開2011-222653號公報
專利文獻2:日本特開2010-062446號公報
發明內容
然而,若處理容器的內表面與晶圓舟皿之間的間隙變大,則處理氣體向晶圓的中心區域的供給量降低,基板處理的面內均勻性降低。
因此,在本發明的一形態中,目的在于提供一種能夠使基板處理的面內均勻性提高的基板處理裝置。
為了達成上述目的,本發明的一形態的基板處理裝置具有:處理容器;旋轉軸,其設為能夠貫穿于所述處理容器的開口部,且在上下方向延伸;支承部,其設置于所述旋轉軸的上端;基板保持器具,其載置于所述支承部上,該基板保持器具在上下方向具有預定間隔且大致水平地保持多個基板;以及重心位置調整構件,其配置于所述支承部的預定區域,該重心位置調整構件對繞所述旋轉軸旋轉的、包括所述支承部和所述基板保持器具在內的旋轉體的重心位置進行調整。
根據公開的基板處理裝置,能夠使基板處理的面內均勻性提高。
附圖說明
圖1是本發明的實施方式的基板處理裝置的概略縱剖視圖。
圖2是表示圖1的基板處理裝置的旋轉體的結構的概略立體圖。
圖3是圖2的旋轉體的保溫筒附近的放大立體圖。
圖4是圖2的旋轉體的保溫筒附近的放大剖視圖。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





