[發明專利]一維納米材料薄膜的密度測量方法及密度均勻性檢測方法

在審

• 申請號: 201711161591.0
• 申請日: 2017-11-21
• 公開（公告）號: CN109813628A
• 公開（公告）日: 2019-05-28
• 發明（設計）人: 韓杰
• 申請（專利權）人: 北京華碳元芯電子科技有限責任公司
• 主分類號: G01N9/00
• 分類號: G01N9/00;G01N13/00
• 代理公司: 北京鼎承知識產權代理有限公司 11551
• 代理人: 李偉波;孟奎

提供了一種一維納米材料薄膜的密度測量方法和一維納米材料薄膜的密度均勻性檢測方法。該一維納米材料薄膜的密度測量方法包括測量一維納米材料薄膜對應的接觸角；以及基于接觸角確定一維納米材料薄膜的密度。

技術領域

本公開涉及一維納米材料，具體涉及一維納米材料薄膜的密度測量方法及密度均勻性檢測方法。

背景技術

近年來一維納米材料得到了極大的發展。通常，一維納米材料在基底表面的密度和均勻性是需要測量的參數，而常用的測量手段通常需要使用掃描電子顯微鏡、原子力顯微鏡等形貌掃描設備。這些測量設備價格昂貴、表征速度慢，很難滿足工業級的生產要求。

發明內容

根據本公開的第一方面，提供了一種一維納米材料薄膜的密度測量方法，其包括：

測量一維納米材料薄膜對應的接觸角；以及

基于接觸角確定一維納米材料薄膜的密度。

根據本公開的至少一個實施方式，測量一維納米材料薄膜對應的接觸角的步驟包括：

在一維納米材料薄膜上形成液滴；以及

通過角度測量裝置或高度測量裝置手動地測量液滴相對于一維納米材料薄膜的接觸角。

根據本公開的至少一個實施方式，測量一維納米材料薄膜對應的接觸角的步驟包括：使用接觸角測量儀來測量一維納米材料薄膜對應的接觸角。

根據本公開的至少一個實施方式，測量液滴的接觸角的步驟包括：測量液滴的多個接觸角，以及計算多個接觸角的平均值。

根據本公開的至少一個實施方式，基于接觸角確定一維納米材料薄膜的密度的步驟包括：基于平均值確定一維納米材料的密度。

根據本公開的至少一個實施方式，一維納米材料薄膜包括以下薄膜之一：碳納米管薄膜、硅納米線薄膜和銀納米線薄膜。

根據本公開的至少一個實施方式，方法還包括：建立接觸角與一維納米材料的密度的對應關系，

基于接觸角確定一維納米材料薄膜的密度的步驟還包括：根據對應關系，確定出與接觸角相對應的一維納米材料薄膜的密度。

根據本公開的至少一個實施方式，建立接觸角與一維納米材料的密度的對應關系的步驟還包括：

測量多個一維納米材料薄膜對應的接觸角，其中多個一維納米材料薄膜具有不同的密度；以及

基于測量的接觸角與多個不同的密度建立對應關系。

根據本公開的至少一個實施方式，基于接觸角確定一維納米材料薄膜的密度的步驟包括：根據預先確定的接觸角與一維納米材料薄膜的密度的對應關系，確定出與接觸角對應的一維納米材料薄膜的密度。

根據本公開的第二方面，提供了一種一維納米材料薄膜的密度均勻性檢測方法，其包括：

在一維納米材料薄膜上的多個位置處執行上述的一維納米材料薄膜的密度測量方法，以獲得一維納米材料薄膜在多個位置處的密度；以及

基于一維納米材料薄膜在多個位置處的密度確定一維納米材料薄膜的密度均勻性。

附圖說明

附圖示出了本公開的示例性實施方式，并與其說明一起用于解釋本公開的原理，其中包括了這些附圖以提供對本公開的進一步理解，并且附圖包括在本說明書中并構成本說明書的一部分。

圖1示意性示出了根據本公開實施方式的一維納米材料薄膜的密度測量方法的流程圖；

圖2示出了根據本公開實施方式的接觸角相對于碳納米管薄膜的密度的變化曲線的示例；