[發明專利]一維納米材料薄膜的密度測量方法及密度均勻性檢測方法

在審

• 申請號: 201711161591.0
• 申請日: 2017-11-21
• 公開（公告）號: CN109813628A
• 公開（公告）日: 2019-05-28
• 發明（設計）人: 韓杰
• 申請（專利權）人: 北京華碳元芯電子科技有限責任公司
• 主分類號: G01N9/00
• 分類號: G01N9/00;G01N13/00
• 代理公司: 北京鼎承知識產權代理有限公司 11551
• 代理人: 李偉波;孟奎

1.一維納米材料薄膜的密度測量方法，包括：

測量所述一維納米材料薄膜對應的接觸角；以及

基于所述接觸角確定所述一維納米材料薄膜的密度。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述測量所述一維納米材料薄膜對應的接觸角的步驟包括：

在所述一維納米材料薄膜上形成液滴；以及

通過角度測量裝置或高度測量裝置手動地測量所述液滴相對于所述一維納米材料薄膜的接觸角。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述測量所述一維納米材料薄膜對應的接觸角的步驟包括：使用接觸角測量儀來測量所述一維納米材料薄膜對應的接觸角。

4.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述測量所述液滴的接觸角的步驟包括：測量所述液滴的多個接觸角，以及計算所述多個接觸角的平均值。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述基于所述接觸角確定所述一維納米材料薄膜的密度的步驟包括：基于所述平均值確定所述一維納米材料的密度。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述一維納米材料薄膜包括以下薄膜之一：碳納米管薄膜、硅納米線薄膜和銀納米線薄膜。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，

所述方法還包括：建立接觸角與一維納米材料的密度的對應關系，

所述基于所述接觸角確定所述一維納米材料薄膜的密度的步驟還包括：根據所述對應關系，確定出與所述接觸角相對應的一維納米材料薄膜的密度。

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述建立接觸角與一維納米材料的密度的對應關系的步驟還包括：

測量多個一維納米材料薄膜對應的接觸角，其中所述多個一維納米材料薄膜具有不同的密度；以及

基于測量的接觸角與所述多個不同的密度建立所述對應關系。

9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述接觸角確定所述一維納米材料薄膜的密度的步驟包括：根據預先確定的接觸角與一維納米材料薄膜的密度的對應關系，確定出與所述接觸角對應的所述一維納米材料薄膜的密度。

10.一維納米材料薄膜的密度均勻性檢測方法，其特征在于，所述方法包括：

在一維納米材料薄膜上的多個位置處執行如權利要求1至9中任一項所述的一維納米材料薄膜的密度測量方法，以獲得所述一維納米材料薄膜在所述多個位置處的密度；以及

基于所述一維納米材料薄膜在所述多個位置處的密度確定所述一維納米材料薄膜的密度均勻性。