[發明專利]交叉點陣列型相變存儲器件及驅動其的方法

有效

• 申請號: 201711156772.4
• 申請日: 2017-11-20
• 公開（公告）號: CN108091362B
• 公開（公告）日: 2021-06-01
• 發明（設計）人: 李仁秀
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G11C13/00
• 分類號: G11C13/00
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理有限公司 11363
• 代理人: 李少丹;許偉群

一種相變存儲器件可以包括交叉點陣列和感測電路塊。交叉點陣列可以包括多個字線、多個位線和相變存儲單元。字線和位線可以彼此交叉。相變存儲單元位于字線與位線之間的交叉點處。感測電路塊讀取相變存儲單元中的數據。感測電路塊可以包括第一感測單元和第二感測單元。第一感測單元使用第一電壓來感測數據。當由第一感測單元讀取的相變存儲單元中的數據被確定為異常時，第二感測單元使用可以比相變存儲單元的閾值電壓高的第二電壓來感測數據。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2016年11月21日向韓國知識產權局提交的申請號為10-2016-0154985的韓國專利申請的優先權，其全部內容通過引用合并于此。

技術領域

各種實施例總體而言涉及一種相變存儲器件及驅動其的方法，更具體地，涉及一種交叉點陣列型相變存儲器件以及驅動該交叉點陣列型相變存儲器件的方法。

背景技術

相變存儲器件可以使用硫族化物材料作為儲存介質。相變存儲器件中的硫族化物材料可以通過施加電流或電壓而轉變成非晶相和晶相。非晶相可以是重置相，而晶相可以是設置相。

相變存儲器件可以包括多個字線、與字線重疊的多個位線以及布置在字線與位線之間的交叉點處的選擇元件和儲存元件。

儲存元件可以寫入數據。讀取電流可以被施加到儲存元件以讀取數據。

然而，當施加讀取電流時，讀取電流可以包括非預定瞬態電流，使得存儲單元中的信息可能被改變。此外，在相鄰的線中可能會產生串擾。

發明內容

根據一個實施例，可以提供一種相變存儲器件。相變存儲器件可以包括交叉點陣列和感測電路塊。交叉點陣列可以包括多個字線、多個位線以及相變存儲單元。字線和位線可以彼此交叉。相變存儲單元可以位于字線與位線之間的交叉點處。感測電路塊可以被配置為讀取相變存儲單元中的數據。感測電路塊可以包括第一感測單元和第二感測單元。第一感測單元可以被配置為使用第一電壓來感測數據。第二感測單元可以被配置為：當在由第一感測單元讀取的相變存儲單元中的數據被確定為異常時，使用可以比相變存儲單元的閾值電壓高的第二電壓來感測數據。

根據一個實施例，可以提供一種驅動相變存儲器件的方法。在驅動相變存儲器件的方法中，相變存儲器件可以包括交叉點陣列。交叉點陣列可以包括多個字線、多個位線以及相變存儲單元。字線和位線可以彼此交叉。相變存儲單元可以位于字線與位線之間的交叉點處。通過讀取命令，可以使用第一電壓來感測相變存儲單元中的數據，該第一電壓可以不大于相變存儲單元的閾值電壓。感測數據可以被確定為正常或異常。當感測數據被確定為異常時，可以使用比閾值電壓高的第二電壓來感測相變存儲單元中的數據。

根據一個實施例，可以提供一種存儲器件。存儲器件包括包含多個存儲單元的存儲單元陣列。存儲器件包括：第一感測電路，其被配置為：使用比存儲單元的閾值電壓小的第一電壓來感測選中的存儲單元的數據；以及第二感測電路，其被配置為：如果選中的存儲單元的感測數據具有錯誤，則使用比閾值電壓高的第二電壓來感測選中的存儲單元的數據。此外，存儲器件包括：控制器，其被配置為決定第一感測電路和第二感測電路的操作。控制器被配置為：如果選中的存儲單元的數據被第二感測電路改變，則向選中的存儲單元提供重寫命令。

附圖說明

圖1是示出根據示例性實施例的相變存儲器件的框圖；

圖2是示出根據示例性實施例的相變存儲器件的電流-電壓特性的曲線圖；

圖3是示出使用圖2中的第一電壓來感測數據的過程的示意圖；

圖4是示出使用圖2中的第二電壓來感測數據的過程的示意圖；

圖5是示出圖1中的感測電路塊的電路圖；

圖6是示出驅動根據示例性實施例的相變存儲器件的方法的流程圖；