[發(fā)明專利]交叉點(diǎn)陣列型相變存儲(chǔ)器件及驅(qū)動(dòng)其的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711156772.4
• 申請(qǐng)日: 2017-11-20
• 公開（公告）號(hào): CN108091362B
• 公開（公告）日: 2021-06-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李仁秀
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號(hào): G11C13/00
• 分類號(hào): G11C13/00
• 代理公司: 北京弘權(quán)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11363
• 代理人: 李少丹;許偉群

1.一種相變存儲(chǔ)器件，包括：

交叉點(diǎn)單元陣列，其包括多個(gè)字線、布置在字線上以與字線彼此交叉的多個(gè)位線以及布置在字線與位線之間的交叉點(diǎn)處的相變存儲(chǔ)單元；以及

感測(cè)電路塊，其被配置為讀取相變存儲(chǔ)單元中的數(shù)據(jù)，所述感測(cè)電路塊包括：

第一感測(cè)單元，其用于使用第一電壓來(lái)執(zhí)行數(shù)據(jù)感測(cè)操作，在第一電壓處所述數(shù)據(jù)不被改變；

第二感測(cè)單元，其用于：當(dāng)由第一感測(cè)單元讀取的相變存儲(chǔ)單元中的數(shù)據(jù)中產(chǎn)生了錯(cuò)誤時(shí)，使用改變相變存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)狀態(tài)的第二電壓來(lái)執(zhí)行數(shù)據(jù)感測(cè)操作；以及

控制器，其包括糾錯(cuò)碼ECC塊，ECC塊被配置為判斷第一感測(cè)單元中是否產(chǎn)生了錯(cuò)誤以及當(dāng)錯(cuò)誤在可校正的范圍內(nèi)時(shí)校正所述錯(cuò)誤，

其中，控制器被配置為：當(dāng)相變存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)被第二感測(cè)單元改變時(shí)，向相變存儲(chǔ)單元提供重寫命令，以及

其中，當(dāng)被第一感測(cè)單元讀取的數(shù)據(jù)無(wú)法被ECC塊恢復(fù)時(shí)，第二感測(cè)單元操作。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的相變存儲(chǔ)器件，其中，第一感測(cè)單元和第二感測(cè)單元電連接在全局位線與位線之間，全局位線電耦接至控制器。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的相變存儲(chǔ)器件，還包括：

第一開關(guān)，其連接在控制器與第一感測(cè)單元之間；以及

第二開關(guān)，其連接在第一感測(cè)單元與第二感測(cè)單元之間。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的相變存儲(chǔ)器件，其中，第一開關(guān)和第二開關(guān)被配置為執(zhí)行第一感測(cè)單元和第二感測(cè)單元的選擇性驅(qū)動(dòng)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的相變存儲(chǔ)器件，其中，感測(cè)電路塊還包括參考電流發(fā)生單元，參考電流發(fā)生單元被配置為復(fù)制被輸入到待讀取的相變存儲(chǔ)單元中的電流并且向第一感測(cè)單元和第二感測(cè)單元提供參考電流。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的相變存儲(chǔ)器件，其中，第一感測(cè)單元包括感測(cè)放大器電路，感測(cè)放大器電路被配置為將第一電壓與提供給參考電流發(fā)生單元的電壓進(jìn)行比較。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的相變存儲(chǔ)器件，其中，第二感測(cè)單元包括：

電容器，其被配置為用從參考電流發(fā)生單元提供的電壓充電；以及

感測(cè)放大器電路，其被配置為將第二電壓與電容器中被充電的電壓進(jìn)行比較。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的相變存儲(chǔ)器件，其中，電容器被配置為在第一感測(cè)單元操作時(shí)用進(jìn)入相變存儲(chǔ)單元中的瞬態(tài)電流充電。

9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的相變存儲(chǔ)器件，其中，參考電流發(fā)生單元還包括控制晶體管，控制晶體管被配置為響應(yīng)于控制信號(hào)而被驅(qū)動(dòng)以選擇性地驅(qū)動(dòng)第一感測(cè)單元和第二感測(cè)單元。

10.一種驅(qū)動(dòng)交叉點(diǎn)陣列型相變存儲(chǔ)器件的方法，所述交叉點(diǎn)陣列型相變存儲(chǔ)器件包括多個(gè)字線、與字線交叉的多個(gè)位線以及布置在字線與位線之間的交叉點(diǎn)處的相變存儲(chǔ)單元，所述方法包括：

根據(jù)讀取命令使用不大于閾值電壓的第一電壓來(lái)首次感測(cè)相變存儲(chǔ)單元中的數(shù)據(jù)，其中，感測(cè)數(shù)據(jù)的狀態(tài)不被首次感測(cè)改變；

判斷感測(cè)數(shù)據(jù)是否正常以及感測(cè)數(shù)據(jù)是否被ECC塊恢復(fù)；

當(dāng)感測(cè)數(shù)據(jù)異常且首次感測(cè)數(shù)據(jù)未被ECC塊恢復(fù)時(shí)，使用比閾值電壓高的第二電壓來(lái)二次感測(cè)相變存儲(chǔ)單元中的數(shù)據(jù)，其中數(shù)據(jù)的狀態(tài)被二次感測(cè)改變，以及

當(dāng)相變存儲(chǔ)單元中的數(shù)據(jù)的狀態(tài)被二次感測(cè)改變時(shí)，在相變存儲(chǔ)單元中重寫正常數(shù)據(jù)。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，還包括將由第二電壓感測(cè)到的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存在ECC塊中。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，還包括當(dāng)感測(cè)數(shù)據(jù)正常和感測(cè)數(shù)據(jù)被ECC塊恢復(fù)時(shí)，結(jié)束對(duì)相變存儲(chǔ)單元中的數(shù)據(jù)的感測(cè)。