[發明專利]具有高孔徑比的大面積超高密度平板顯示器有效
| 申請號: | 201711156608.3 | 申請日: | 2017-11-20 |
| 公開(公告)號: | CN108091672B | 公開(公告)日: | 2021-09-28 |
| 發明(設計)人: | 樸恩智;吳吉煥;李基炯 | 申請(專利權)人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;G09G3/3225 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 李輝;劉久亮 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 孔徑 大面積 超高 密度 平板 顯示器 | ||
本公開涉及一種具有高孔徑比的大面積超高密度平板顯示器。本公開提供一種平板顯示器,該平板顯示器包括:驅動電流線和感測線,其在基板上沿第一方向設置;掃描線和感測選通線,其在所述基板上沿第二方向設置;水平電流線,其沿所述第二方向被設置在所述掃描線的上側并且連接到所述驅動電流線;水平感測線,其沿所述第二方向被設置在所述感測選通線的下側并且連接到所述感測線;公共電流線,其從所述水平電流線伸出并與所述掃描線交叉;以及第一像素區域和第二像素區域,其被設置在所述驅動電流線與所述感測線之間并且被設置為具有基于所述公共電流線彼此雙對稱的形狀。
技術領域
本公開涉及具有高孔徑比的大面積超高密度平板顯示器。具體地,本公開涉及一種其中線路負載被降低或最小化的具有優異視頻質量的大面積超高密度有機發光二極管顯示器。
背景技術
目前,開發了各種平板顯示器(或“FPD”)以用于克服笨重且龐大的陰極射線管(或“CRT”)的許多缺點。平板顯示裝置包括液晶顯示裝置(或“LCD”)、場發射顯示器(FED)、等離子體顯示面板(或“PDP”)、電致發光裝置(或“EL”)等。
作為自發光顯示裝置,電致發光裝置具有響應速度非常快、亮度非常高且視角大的優點。電致發光裝置可分為無機發光二極管顯示器和有機發光二極管顯示器。由于具有良好的能量效率、較低的漏電流以及通過電流控制來呈現顏色和亮度的容易性,所以更需要使用有機發光二極管的有機發光二極管顯示器(或“OLED”)。
圖1是例示有機發光二極管的結構的圖。如圖1所示,有機發光二極管包括有機發光材料層以及彼此面對且有機發光材料層位于其間的陰極和陽極。有機發光材料層包括空穴注入層HIL、空穴傳輸層HTL、發光層EML、電子傳輸層ETL和電子注入層EIL。有機發光二極管由于在空穴和電子在發光層EML處復合的激發態下形成的激子的能量而發光。
有機發光二極管由于在來自陽極的空穴和來自陰極的電子在發光層EML處復合的激發態下形成的激子的能量而發光。如圖1所示,有機發光二極管顯示器可通過控制從有機發光二極管的發光層ELM產生并輻射的光的量(或“亮度”)來呈現視頻數據。
使用具有良好能量效率的有機發光二極管的OLED可分為無源矩陣型有機發光二極管顯示器(或PMOLED)和有源矩陣型有機發光二極管顯示器(或AMOLED)。
有源矩陣型有機發光二極管顯示器(或AMOLED)通過使用薄膜晶體管(或TFT)來控制施加到有機發光二極管的電流來顯示視頻數據。在下文中,參照圖2和圖3,我們將說明根據相關技術的有機發光二極管顯示器。
圖2是例示有源矩陣有機發光二極管顯示器(或AMOLED)中的一個像素的結構的示例性電路圖。圖3是例示根據相關技術的AMOLED的結構的平面圖。圖4是用于例示根據相關技術的底部發光型AMOLED的結構的沿著切割線I-I'的截面圖。
參照圖2和圖3,有源矩陣有機發光二極管顯示器包括開關薄膜晶體管ST、連接到開關薄膜晶體管ST的驅動薄膜晶體管DT以及連接到驅動薄膜晶體管DT的有機發光二極管OLE。通過將掃描線SL、數據線DL和驅動電流線VDD沉積在基板上來限定像素區域。由于有機發光二極管設置在像素區域內,所以它限定了發光區域。
開關薄膜晶體管ST形成在掃描線SL和數據線DL交叉的位置。開關薄膜晶體管ST用于選擇連接到開關薄膜晶體管ST的像素。開關薄膜晶體管ST包括從掃描線SL伸出的柵極SG、與柵極SG交疊的半導體溝道層SA、源極SS和漏極SD。驅動薄膜晶體管DT用于驅動設置在由開關薄膜晶體管ST選擇的像素處的有機發光二極管OLE的陽極ANO。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于樂金顯示有限公司,未經樂金顯示有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201711156608.3/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





