[發明專利]具有高孔徑比的大面積超高密度平板顯示器有效
| 申請號: | 201711156608.3 | 申請日: | 2017-11-20 |
| 公開(公告)號: | CN108091672B | 公開(公告)日: | 2021-09-28 |
| 發明(設計)人: | 樸恩智;吳吉煥;李基炯 | 申請(專利權)人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;G09G3/3225 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 李輝;劉久亮 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 孔徑 大面積 超高 密度 平板 顯示器 | ||
1.一種平板顯示器,該平板顯示器包括:
驅動電流線和感測線,所述驅動電流線和所述感測線在基板上沿第一方向設置,所述感測線被配置為將初始電壓提供至像素電路中的感測節點或者用于檢測所述感測節點處的電壓或電流;
掃描線和感測選通線,所述掃描線和所述感測選通線在所述基板上沿第二方向設置;
水平電流線,所述水平電流線沿所述第二方向被設置在所述掃描線的上側并且連接到所述驅動電流線;
水平感測線,所述水平感測線沿所述第二方向被設置在所述感測選通線的下側并且連接到所述感測線;
公共電流線,所述公共電流線從所述水平電流線伸出并且與所述掃描線交叉;
第一像素區域和第二像素區域,所述第一像素區域和所述第二像素區域被設置在所述驅動電流線與所述感測線之間并且被設置為具有基于所述公共電流線彼此雙對稱的形狀,
開關薄膜晶體管,所述開關薄膜晶體管與所述掃描線交疊;
驅動薄膜晶體管,所述驅動薄膜晶體管被設置在所述掃描線與所述感測選通線之間并且連接到所述開關薄膜晶體管;以及
感測薄膜晶體管,所述感測薄膜晶體管與所述感測選通線交疊。
2.根據權利要求1所述的平板顯示器,其中,所述開關薄膜晶體管包括:
開關源極,所述開關源極從數據線伸出;
開關漏極,所述開關漏極基于所述掃描線與所述開關源極面對;以及
開關半導體層,所述開關半導體層與所述掃描線交叉,其中,所述開關半導體層的一端連接到所述開關源極,而所述開關半導體層的另一端連接到所述開關漏極。
3.根據權利要求2所述的平板顯示器,其中,所述驅動薄膜晶體管包括:
驅動源極,所述驅動源極從所述公共電流線伸出;
驅動柵極,所述驅動柵極連接到所述開關漏極;
驅動漏極,所述驅動漏極基于所述驅動柵極與所述驅動源極面對;以及
驅動半導體層,所述驅動半導體層與所述驅動柵極交叉,其中,所述驅動半導體層的一端連接到所述驅動源極,而所述驅動半導體層的另一端連接到所述驅動漏極。
4.根據權利要求3所述的平板顯示器,其中,所述感測薄膜晶體管包括:
感測源極,所述感測源極從所述水平感測線伸出;
感測漏極,所述感測漏極基于所述感測選通線與所述感測源極面對并且連接到所述驅動漏極;以及
感測半導體層,所述感測半導體層與所述感測選通線交叉,其中,所述感測半導體層的一端連接到所述感測源極,而所述感測半導體層的另一端連接到所述感測漏極。
5.根據權利要求1所述的平板顯示器,該平板顯示器還包括:
陽極,所述陽極連接到所述驅動薄膜晶體管并且被設置在所述第一像素區域內;
堤,所述堤限定所述陽極內的發光區域;
有機發光層,所述有機發光層被設置在所述發光區域上;以及
陰極,所述陰極被設置在所述有機發光層上。
6.根據權利要求1所述的平板顯示器,該平板顯示器還包括:
第三像素區域和第四像素區域,所述第三像素區域和所述第四像素區域被設置為具有基于所述感測線與所述第一像素區域和所述第二像素區域雙對稱的形狀。
7.根據權利要求6所述的平板顯示器,其中,
紅色像素被分配在所述第一像素區域,
白色像素被分配在所述第二像素區域,
綠色像素被分配在所述第三像素區域,并且
藍色像素被分配在所述第四像素區域。
8.根據權利要求6所述的平板顯示器,其中,所述公共電流線包括:
第一公共電流線,所述第一公共電流線向所述第一像素區域和所述第二像素區域提供驅動電流;以及
第二公共電流線,所述第二公共電流線向所述第三像素區域和所述第四像素區域提供驅動電流。
9.根據權利要求8所述的平板顯示器,其中,所述第一公共電流線和所述第二公共電流線在包括所述第一像素區域、所述第二像素區域、所述第三像素區域和所述第四像素區域的單元像素區域內與所述掃描線交疊。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





