[發(fā)明專利]剛性電極壓接封裝功率半導(dǎo)體器件封裝方法和系統(tǒng)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201711155095.4 | 申請(qǐng)日: | 2017-11-17 |
| 公開(公告)號(hào): | CN108172519B | 公開(公告)日: | 2020-06-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 林仲康;石浩;田麗紛;張喆;李現(xiàn)兵;張朋;武偉;唐新靈;王亮 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/50 | 分類號(hào): | H01L21/50;H01L21/66;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京三聚陽光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11250 | 代理人: | 吳黎 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 剛性 電極 封裝 功率 半導(dǎo)體器件 方法 系統(tǒng) | ||
1.一種疊層組件的層疊方法,所述亮層組件包括按預(yù)定層疊順序?qū)恿恋亩喾N部件,其特征在于,所述方法包括:
獲取各個(gè)所述部件的厚度值;
根據(jù)所述部件的厚度值計(jì)算疊層組件的厚度的方差,包括:分別對(duì)不同種所述部件按照預(yù)設(shè)厚度差進(jìn)行分組;按照分組后的厚度對(duì)各個(gè)所述部件進(jìn)行隨機(jī)層柱;計(jì)算所述疊層組件的厚度的方差;
根據(jù)最小方差的層疊方式形成所述疊層組件,包括:獲取所述部件的位置和角度;根據(jù)所述位置和所述角度對(duì)各所述部件進(jìn)行層疊。
2.如權(quán)利要求1所述的疊層組件的層疊方法,其特征在于,在獲取各個(gè)所述部件的厚度值和所述根據(jù)所述部件的厚度值計(jì)算疊層組件的厚度的方差之間;包括:獲取各個(gè)所述部件的平而度;
分別判斷各個(gè)所述部件的平面度是否大于預(yù)設(shè)平面度;
當(dāng)所述部件的平而度大于預(yù)設(shè)平面度時(shí),剔除所述部件。
3.如權(quán)利要求2所述的疊層組件的層疊方法,其特征在于,所述獲取各個(gè)部件的平而度包括:
獲取各個(gè)所述部件中任意位置至少兩點(diǎn)的厚度值;
計(jì)算所述至少兩點(diǎn)的厚度值的差,得到各個(gè)所述部件的平而度。
4.如權(quán)利要求1所述的疊層組件的層疊方法,其特征在于,所述獲取各個(gè)部件的厚度值包括:
分別獲取所述各個(gè)部件中任意一點(diǎn)或任意多點(diǎn)的厚度值;
根據(jù)所述任意一點(diǎn)的厚度值或任意多點(diǎn)的厚度平均值確定所述部件的厚度值。
5.一種剛性電極壓接封裝功率半導(dǎo)體器件封裝方法,其特征在于,包括:
按照權(quán)利要求1-4任意一項(xiàng)所述的疊層組件的層疊方法對(duì)各個(gè)部件進(jìn)行層疊形成所述疊層組件;
對(duì)所述疊層組件進(jìn)行封裝,得到封裝后的半導(dǎo)體器件。
6.如權(quán)利要求5所述的剛性電極壓接封裝功率半導(dǎo)體器件封裝方法,其特征在于,還包括:對(duì)所述半導(dǎo)體器件進(jìn)行壓力、熱阻或電特性中的任意一種或任意組合的測(cè)試。
7.一種剛性電極壓接封裝功率半導(dǎo)體器件封裝系統(tǒng),其特征在于,包括:
厚度檢測(cè)裝置,用于檢測(cè)各個(gè)部件的厚度;
匹配裝置,用于根據(jù)權(quán)利要求1-4任意一項(xiàng)所述的疊層組件的疊層方法對(duì)各個(gè)部件進(jìn)行層疊形成所述疊層組件;
裝配裝置,用于根據(jù)如權(quán)利要求5或6所述的剛性電極壓接封裝功率半導(dǎo)體器件的封裝方法對(duì)所述疊層組件進(jìn)行封裝,得到封裝后的半導(dǎo)體器件。
8.如權(quán)利要求7所述的剛性電極壓接封裝功率半導(dǎo)體器件封裝系統(tǒng),其特征在于,還包括:
測(cè)試裝置,用于對(duì)所述半導(dǎo)體器件進(jìn)行壓力測(cè)試、熱阻測(cè)試或電特性測(cè)試中的任意一種或任意組合。
9.如權(quán)利要求8所述的剛性電極壓接封裝功率半導(dǎo)體器件封裝系統(tǒng),其特征在于,還包括:
傳送裝置,用于將所述各部件在所述厚度檢測(cè)裝置、匹配裝置、裝配裝置和所述測(cè)試裝置之間進(jìn)行傳送。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





