[發(fā)明專利]位線預(yù)置電路、讀操作電路、SRAM和方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711155060.0
• 申請(qǐng)日: 2017-11-20
• 公開（公告）號(hào): CN109817260B
• 公開（公告）日: 2021-02-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 史增博;方偉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號(hào): G11C11/419
• 分類號(hào): G11C11/419
• 代理公司: 中國貿(mào)促會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 11038
• 代理人: 李浩

1.一種用于SRAM的位線預(yù)置電路，其特征在于，所述位線預(yù)置電路與存儲(chǔ)陣列連接，所述存儲(chǔ)陣列包括多列存儲(chǔ)單元；

所述位線預(yù)置電路包括：

多組位線對(duì)，每組位線對(duì)與每列存儲(chǔ)單元相對(duì)應(yīng)，每組位線對(duì)包括：分別連接相對(duì)應(yīng)的同一列存儲(chǔ)單元的一條位線和一條互補(bǔ)位線；

其中，在讀操作前，所述多組位線對(duì)中的一部分位線對(duì)被預(yù)充電至電源電壓VDD，所述多組位線對(duì)中的其他部分位線對(duì)被預(yù)充電至公共接地端電壓VSS；

在所述多組位線對(duì)中的一部分位線對(duì)被預(yù)充電至電源電壓VDD的情況中，該部分位線對(duì)的每組位線對(duì)中的位線和互補(bǔ)位線均被預(yù)充電至電源電壓VDD；

在所述多組位線對(duì)中的其他部分位線對(duì)被預(yù)充電至公共接地端電壓VSS的情況中，該其他部分位線對(duì)的每組位線對(duì)中的位線和互補(bǔ)位線均被預(yù)充電至公共接地端電壓VSS。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的位線預(yù)置電路，其特征在于，

在讀操作前，所述多組位線對(duì)中的一半組數(shù)的位線對(duì)被預(yù)充電至電源電壓VDD，所述多組位線對(duì)中的另一半組數(shù)的位線對(duì)被預(yù)充電至公共接地端電壓VSS。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的位線預(yù)置電路，其特征在于，還包括：

多個(gè)第一開關(guān)晶體管和多個(gè)第二開關(guān)晶體管；

其中，每個(gè)所述第一開關(guān)晶體管被耦接在電源電壓端與需要被預(yù)充電至電源電壓的位線對(duì)中的位線或互補(bǔ)位線之間；每個(gè)所述第二開關(guān)晶體管被耦接在公共接地端與需要被預(yù)充電至公共接地端電壓的位線對(duì)中的位線或互補(bǔ)位線之間。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的位線預(yù)置電路，其特征在于，還包括：

第一預(yù)充電信號(hào)線，用于向所述多個(gè)第一開關(guān)晶體管提供第一預(yù)充電信號(hào)；其中，所述第一開關(guān)晶體管響應(yīng)于所述第一預(yù)充電信號(hào)而導(dǎo)通，使得所述多組位線對(duì)中的所述一部分位線對(duì)被預(yù)充電至電源電壓；以及

第二預(yù)充電信號(hào)線，用于向所述多個(gè)第二開關(guān)晶體管提供第二預(yù)充電信號(hào)；其中，所述第二開關(guān)晶體管響應(yīng)于所述第二預(yù)充電信號(hào)而導(dǎo)通，使得所述多組位線對(duì)中的所述其他部分位線對(duì)被預(yù)充電至公共接地端電壓。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的位線預(yù)置電路，其特征在于，

所述第一開關(guān)晶體管為P型溝道金屬氧化物半導(dǎo)體PMOS晶體管，所述第二開關(guān)晶體管為N型溝道金屬氧化物半導(dǎo)體NMOS晶體管；

其中，所述第一開關(guān)晶體管的源極連接至所述電源電壓端，所述第一開關(guān)晶體管的漏極連接至需要被預(yù)充電至電源電壓的位線對(duì)中的位線或互補(bǔ)位線，所述第一開關(guān)晶體管的柵極連接至所述第一預(yù)充電信號(hào)線；

所述第二開關(guān)晶體管的源極連接至所述公共接地端，所述第二開關(guān)晶體管的漏極連接至需要被預(yù)充電至公共接地端電壓的位線對(duì)中的位線或互補(bǔ)位線，所述第二開關(guān)晶體管的柵極連接至所述第二預(yù)充電信號(hào)線。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的位線預(yù)置電路，其特征在于，還包括：多路選擇器；

所述多路選擇器包括：

多對(duì)位線連接端口，其中，每對(duì)位線連接端口包括：連接對(duì)應(yīng)的一組位線對(duì)中的位線的第一連接端口和連接該組位線對(duì)中的互補(bǔ)位線的第二連接端口；

多個(gè)選擇信號(hào)輸入端口，其中，每個(gè)選擇信號(hào)輸入端口用于接收一個(gè)對(duì)應(yīng)所需選擇的一組位線對(duì)的選擇信號(hào)；

使能信號(hào)端口，用于接收電荷分享使能信號(hào)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的位線預(yù)置電路，其特征在于，所述多路選擇器還包括：

選擇單元和與所述選擇單元連接的多組PMOS晶體管；

其中，所述選擇單元設(shè)置有所述使能信號(hào)端口；

在所述多組PMOS晶體管中，每組PMOS晶體管包括與一組位線對(duì)相對(duì)應(yīng)的第一PMOS晶體管和第二PMOS晶體管；其中，所述第一PMOS晶體管的源極連接至所述第一連接端口，所述第二PMOS晶體管的源極連接至所述第二連接端口，所述第一PMOS晶體管的漏極和所述第二PMOS晶體管的漏極分別與所述選擇單元連接，所述第一PMOS晶體管的柵極和所述第二PMOS晶體管的柵極一起連接至同一個(gè)選擇信號(hào)輸入端口。