[發(fā)明專利]一種提高跨線區(qū)靜電擊傷修復(fù)良率的結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711154780.5
• 申請日: 2017-11-20
• 公開（公告）號: CN107731791B
• 公開（公告）日: 2020-07-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 安立揚(yáng)
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L23/60
• 分類號: H01L23/60
• 代理公司: 深圳市銘粵知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44304
• 代理人: 孫偉峰

一種提高跨線區(qū)靜電擊傷修復(fù)良率的結(jié)構(gòu)，包括，第一金屬線和置于第一金屬線上且與第一金屬線垂直的第二金屬線；對稱設(shè)置在第一金屬線兩邊緣靠近兩金屬線相交區(qū)域的第一金屬線第一導(dǎo)線；設(shè)置在第二金屬線靠近第一金屬線第一導(dǎo)線的一側(cè)邊緣的兩根第二金屬線導(dǎo)線；其中，所述第二金屬線導(dǎo)線頭部與第一金屬線第一導(dǎo)線頭部相對。本發(fā)明將靜電擊傷區(qū)域固定在導(dǎo)線接觸區(qū)域，提高修復(fù)的可能，提高良率，降低成本。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明是應(yīng)用于液晶顯示領(lǐng)域里的一種提高跨線區(qū)靜電擊傷修復(fù)良率的結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

在薄膜晶體管和液晶顯示器制造過程中，良率是成本降低的關(guān)鍵，陣列(Array)由于制程復(fù)雜，良率一直比較低，其中靜電炸傷(ESD)，是制約陣列良率的一大因素。如圖1所示，第一金屬線1和第二金屬線2相互垂直設(shè)置，在兩金屬線跨線部位發(fā)生靜電擊傷(ESD)3，因一旦發(fā)生靜電擊傷，如圖2所示，上下兩層金屬線路就會短路，使后面的制程無法進(jìn)行，只能報(bào)廢。如圖3和圖4所示，為了提高良率，現(xiàn)有技術(shù)的做法是將跨線地方的第二金屬線設(shè)置成鏤空的窄縫(slit)狀，如圖5所示，當(dāng)其中一根條狀金屬線發(fā)生靜電擊傷時，通過鐳射的方法把它切斷，從而提高良率，可是這種方法無法保證靜電炸傷發(fā)生的位置，靜電炸傷是隨機(jī)發(fā)生的，如圖6所示，當(dāng)超過一半的窄縫發(fā)生炸傷的時候，我們就不能再通過切斷的方法來修補(bǔ)了，因?yàn)樽柚堤罅艘矔绊懞竺娴闹瞥蹋荒軋?bào)廢。相應(yīng)的在未發(fā)生靜電炸傷時，這種挖空的設(shè)計(jì)也會增加走線的阻值，對于一些對阻值要求較高的產(chǎn)品，引入此種設(shè)計(jì)時必須增加導(dǎo)線的線寬。無形之中增加了第一金屬線與第二金屬線的跨線區(qū)域的面積，引起靜電擊傷高發(fā)。

發(fā)明內(nèi)容

針對上述現(xiàn)有技術(shù)中的不足，本發(fā)明的目的在于提供一種提高跨線區(qū)靜電擊傷修復(fù)良率的結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)靜電擊傷控制在設(shè)置的導(dǎo)線頭部位置，方便后續(xù)修復(fù)。

一種提高跨線區(qū)靜電擊傷修復(fù)良率的結(jié)構(gòu)，包括，第一金屬線和與所述第一

金屬線絕緣設(shè)置且相交的第二金屬線；

其中，所述第一金屬線的至少一側(cè)邊緣向外突出形成第一金屬線第一導(dǎo)線，所述第一金屬線第一導(dǎo)線位于靠近所述第一金屬線與所述第二金屬線相交的區(qū)域；

所述第二金屬線上靠近所述第一金屬線第一導(dǎo)線的一側(cè)邊緣朝向所述第一金屬線第一導(dǎo)線突出形成第二金屬線導(dǎo)線；

所述第一金屬線第一導(dǎo)線的一端在所述第二金屬線所在平面上的投影與所述第二金屬線導(dǎo)線的一端相對設(shè)置。

所述的提高跨線區(qū)靜電擊傷修復(fù)良率的結(jié)構(gòu)，其中，還包括不少于一根的第一金屬線第二導(dǎo)線，所述第一金屬線第二導(dǎo)線位于第一金屬線兩邊緣且位于第一金屬線第一導(dǎo)線遠(yuǎn)離第二金屬線導(dǎo)線的一側(cè)；

所述第一金屬線第二導(dǎo)線包括垂直段和水平段，垂直段垂直于第一金屬線，水平段平行于第一金屬線，且第一金屬線第二導(dǎo)線的一端在所述第二金屬線所在平面上的投影與所述第二金屬線導(dǎo)線的一端相對設(shè)置。

所述的提高跨線區(qū)靜電擊傷修復(fù)良率的結(jié)構(gòu)，其中，所述第一金屬線第一導(dǎo)線、第二金屬線導(dǎo)線以及第一金屬線第二導(dǎo)線的頭部設(shè)置有尖端，所述尖端為四棱錐型結(jié)構(gòu)。

所述的提高跨線區(qū)靜電擊傷修復(fù)良率的結(jié)構(gòu)，其中，還包括設(shè)置在第一金屬線和第二金屬線之間的單晶硅層，所述單晶硅層設(shè)置在兩金屬線相交的區(qū)域并延伸至第二金屬線導(dǎo)線區(qū)域，所述單晶硅層在位于導(dǎo)線頭部相對區(qū)域被蝕刻。

所述的提高跨線區(qū)靜電擊傷修復(fù)良率的結(jié)構(gòu)，其中，所述尖端的長度不小于所述第一金屬線第一導(dǎo)線、第二金屬線導(dǎo)線以及第一金屬線第二導(dǎo)線的導(dǎo)線總長度的1/3。

所述的提高跨線區(qū)靜電擊傷修復(fù)良率的結(jié)構(gòu)，其中，所述單晶硅層的厚度與所述第一金屬層和第二金屬層的厚度相同。

所述的提高跨線區(qū)靜電擊傷修復(fù)良率的結(jié)構(gòu)，其中，所述第一金屬線第一導(dǎo)線與第二金屬線平行，所述第二金屬線導(dǎo)線與第一金屬線平行。