[發明專利]一種提高跨線區靜電擊傷修復良率的結構

有效

• 申請號: 201711154780.5
• 申請日: 2017-11-20
• 公開（公告）號: CN107731791B
• 公開（公告）日: 2020-07-21
• 發明（設計）人: 安立揚
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L23/60
• 分類號: H01L23/60
• 代理公司: 深圳市銘粵知識產權代理有限公司 44304
• 代理人: 孫偉峰

1.一種提高跨線區靜電擊傷修復良率的結構，其特征在于，包括，第一金屬線和與所述第一金屬線絕緣設置且相交的第二金屬線；

其中，所述第一金屬線的至少一側邊緣向外突出形成第一金屬線第一導線，所述第一金屬線第一導線位于靠近所述第一金屬線與所述第二金屬線相交的區域；

所述第二金屬線上靠近所述第一金屬線第一導線的一側邊緣朝向所述第一金屬線第一導線突出形成第二金屬線導線；

所述第一金屬線第一導線的一端在所述第二金屬線所在平面上的投影與所述第二金屬線導線的一端相對設置；

還包括不少于一根的第一金屬線第二導線，所述第一金屬線第二導線位于第一金屬線兩邊緣且位于第一金屬線第一導線遠離第二金屬線導線的一側；所述第一金屬線第二導線包括垂直段和水平段，垂直段垂直于第一金屬線，水平段平行于第一金屬線，且第一金屬線第二導線的一端在所述第二金屬線所在平面上的投影與所述第二金屬線導線的一端相對設置；

所述第一金屬線第一導線、第二金屬線導線以及第一金屬線第二導線的頭部設置有尖端，所述尖端為四棱錐型結構；

還包括設置在第一金屬線和第二金屬線之間的單晶硅層，所述單晶硅層設置在兩金屬線相交的區域并延伸至第二金屬線導線區域，所述單晶硅層在位于導線頭部相對區域被蝕刻。

2.根據權利要求1所述的提高跨線區靜電擊傷修復良率的結構，其特征在于，所述尖端的長度不小于所述第一金屬線第一導線、第二金屬線導線以及第一金屬線第二導線的導線總長度的1/3。

3.根據權利要求1所述的提高跨線區靜電擊傷修復良率的結構，其特征在于，所述單晶硅層的厚度與所述第一金屬層和第二金屬層的厚度相同。

4.根據權利要求1所述的提高跨線區靜電擊傷修復良率的結構，其特征在于，所述第一金屬線第一導線與第二金屬線平行，所述第二金屬線導線與第一金屬線平行。

5.根據權利要求1所述的提高跨線區靜電擊傷修復良率的結構，其特征在于，所述第一金屬線第二導線的垂直段長度與第一金屬線第一導線長度相同。