[發明專利]基于β-Ga2 有效
| 申請號： | 201711152968.6 | 申請日： | 2017-11-17 |
| 公開（公告）號： | CN108007977B | 公開（公告）日： | 2020-06-02 |
| 發明（設計）人： | 張香麗 | 申請（專利權）人： | 張香麗 |
| 主分類號： | G01N27/12 | 分類號： | G01N27/12 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 322207 浙*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基于 ga base sub | ||
1.基于β-Ga2O3/CuGa2O4/[HONH3]PbI3異質結的氣敏傳感器，其特征在于，包括金叉指電極，ITO透明導電玻璃，位于ITO透明導電玻璃上的β-Ga2O3薄膜，位于β-Ga2O3薄膜上方的β-Ga2O3/CuGa2O4異質結納米墻陣列和[HONH3]PbI3薄膜；所述β-Ga2O3/CuGa2O4異質結納米墻陣列間隔嵌于[HONH3]PbI3薄膜，所述金叉指電極位于[HONH3]PbI3薄膜上方和位于ITO透明導電玻璃上方，位于[HONH3]PbI3薄膜上方的金叉指電極和位于β-Ga2O3薄膜上方的β-Ga2O3/CuGa2O4異質結納米墻陣列間隔排列，且金叉指電極的頂端低于β-Ga2O3/CuGa2O4異質結納米墻陣列頂端。
2.根據權利要求1所述的基于β-Ga2O3/CuGa2O4/[HONH3]PbI3異質結的氣敏傳感器，其特征在于，所述的β-Ga2O3/CuGa2O4異質結納米墻陣列由若干β-Ga2O3/CuGa2O4異質結納米墻構成，所述β-Ga2O3/CuGa2O4異質結納米墻的厚度為50～80nm，高度為300～400nm；所述位于β-Ga2O3薄膜上方的[HONH3]PbI3薄膜的厚度為150～200nm。
3.根據權利要求1或2所述的基于β-Ga2O3/CuGa2O4/[HONH3]PbI3異質結的氣敏傳感器，其特征在于，所述β-Ga2O3薄膜與CuGa2O4納米墻陣列、
[HONH3]PbI3薄膜和金叉指電極的接觸面形成Au/β-Ga2O3/CuGa2O4、β-Ga2O3/[HONH3]PbI3、CuGa2O4/[HONH3]PbI3以及Au/[HONH3]PbI異質結界面。
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