[發(fā)明專利]一種光敏電阻器的光敏材料及光敏電阻器的制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711149321.8 | 申請日： | 2017-11-18 |
| 公開（公告）號： | CN107910391A | 公開（公告）日： | 2018-04-13 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 江明泓 | 申請（專利權(quán)）人： | 四川啟興電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/032 | 分類號： | H01L31/032;H01L31/08;H01L31/18 |
| 代理公司： | 成都弘毅天承知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司51230 | 代理人： | 趙宇,劉東 |
| 地址： | 611130 四川省成都市*** | 國省代碼： | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 光敏 電阻器 材料 制備 方法 | ||
1.一種光敏電阻器的光敏材料，其特征在于，按重量份數(shù)計(jì)，所述光敏材料包括以下組分：硫化鎘20-50份，硒化鎘30-50份，氯化鎘0.1-1份，氯化釤0.1-0.3份，硫化鋅1-10份，硫酸銅溶液1-3份，離子水10-100份。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種光敏電阻器的光敏材料，其特征在于，按重量份數(shù)計(jì)，所述光敏材料包括以下組分：硫化鎘30-40份，硒化鎘35-45份，氯化鎘0.3-0.8份，氯化釤0.15-0.25份，硫化鋅3-8份，硫酸銅溶液1.5-2.5份，離子水30-80份。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種光敏電阻器的光敏材料，其特征在于，按重量份數(shù)計(jì)，所述光敏材料包括以下組分：硫化鎘35份，硒化鎘40份，氯化鎘0.5份，氯化釤0.2份，硫化鋅5份，硫酸銅溶液2份，離子水60份。
4.一種如權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的光敏電阻器的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
(1)制備陶瓷基體，用純度為90％-95％的三氧化鋁制備而成；
(2)制備光敏溶液，將硫化鎘，硒化鎘，氯化鎘，氯化釤，硫化鋅溶解在離子水中，攪拌混合均勻，再加入硫酸銅溶液攪拌混合均勻，得到光敏溶液；
(3)將光敏溶液均勻噴涂在陶瓷基體的表面，形成光敏層；
(4)將噴涂后用的陶瓷基體靜止15-25分鐘后，再在1000-1500℃高溫下燒結(jié)25-45分鐘，然后在400-600℃下保溫1小時，得到光敏電阻主體；
(5)在步驟(4)得到的光敏電阻主體表面噴涂隔離層，得到光敏電阻；
(6)將兩個電機(jī)安裝在步驟(5)形成的光敏電阻兩端，得到光敏電阻器。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種光敏電阻器的制備方法，其特征在于，所述隔離層為環(huán)氧樹脂或金屬。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
