[發明專利]一種在薄膜中形成斜面的方法

在審

• 申請號: 201711139722.5
• 申請日: 2017-11-16
• 公開（公告）號: CN109795977A
• 公開（公告）日: 2019-05-24
• 發明（設計）人: 王詩男
• 申請（專利權）人: 上海新微技術研發中心有限公司
• 主分類號: B81C1/00
• 分類號: B81C1/00;H01L21/02
• 代理公司: 北京知元同創知識產權代理事務所(普通合伙) 11535
• 代理人: 劉元霞

本申請提供一種在薄膜中形成斜面的方法，包括：在薄膜的表面形成保護膜圖形，在所述保護膜圖形中形成有開口；在所述開口周圍的保護膜圖形與所述薄膜之間，形成空洞，所述空洞與所述開口連通；以所述保護膜圖形作為掩膜，經由所述開口對所述薄膜進行各向異性刻蝕，在所述薄膜中形成側壁；以所述保護膜圖形作為掩膜，經由所述開口對所述薄膜進行各向同性刻蝕，以使所述側壁成為相對于所述薄膜的表面的法向傾斜的斜面。根據本申請，在形成斜面的過程中，能夠對斜面頂部的薄膜的形狀進行精確地控制。

技術領域

本申請涉及半導體技術領域，尤其涉及一種傾斜面的制造方法。

背景技術

在半導體器件，特別是微機電系統(MEMS)器件的制造過程中，常常把薄膜加工成某種凸凹構造，然后在凸凹構造的表面形成無斷縫或開孔的連續覆蓋膜。但是，當薄膜比較厚時，如果凸凹構造的側壁比較陡峭，覆蓋膜往往會在凸凹構造的側壁附近變薄、甚至斷裂，致使器件功能低下或是后續加工困難。

為了在凸凹構造的表面形成無斷縫或開孔的連續覆蓋膜，一個常用的辦法是把凸凹構造的側壁加工成斜坡形狀。在現有技術中，為了得到斜坡形狀，一個常用的辦法是在加工形成薄膜的凸凹構造時，故意降低薄膜和覆蓋薄膜的保護膜之間的密接程度，然后用腐蝕液對薄膜進行各向同性的濕法腐蝕，由此，在凸凹構造的側壁形成斜坡形狀。

應該注意，上面對技術背景的介紹只是為了方便對本申請的技術方案進行清楚、完整的說明，并方便本領域技術人員的理解而闡述的。不能僅僅因為這些方案在本申請的背景技術部分進行了闡述而認為上述技術方案為本領域技術人員所公知。

發明內容

本申請的發明人發現，在上述現有的形成斜坡形狀的技術中，由于薄膜和保護膜之間的密接程度較低，腐蝕液在保護膜開口處腐蝕薄膜的同時，會滲透到保護膜開口周圍的保護膜和薄膜之間，將接觸到的薄膜腐蝕掉。這樣，雖然可以得到斜坡形狀的薄膜側壁，但是凸凹構造的頂部形狀很難控制，使微細構造加工的尺寸和形狀精度都受到限制。

下面，結合附圖來說明上述問題。圖1是現有的形成斜坡形狀的技術的一個示意圖。其中，圖1(A)是形成斜坡形狀之前的一個示意圖，圖1(B)是形成斜坡形狀之后的一個示意圖。如圖1(A)所示，薄膜101位于基板100表面，保護膜102位于薄膜101表面，在進行各向同性的腐蝕之前，在保護膜102中形成開口1021。以保護膜102為掩模，進行各向同性腐蝕，由于保護膜102與薄膜101之間的接密程度較低，一方面，便于腐蝕液進入保護膜與薄膜之間，形成斜坡形狀，另一方面，腐蝕液進入保護膜與薄膜之間的深度難以控制，因此，斜坡的頂部形狀難以控制。

圖1(B)是形成斜坡的示意圖，如圖1(B)所示，101b是預期要得到的斜坡形狀，但是，腐蝕液進入到了保護膜與薄膜之間的預期之外的位置，例如虛線圈101c所示的位置，因此，斜坡的頂部的形狀難以被控制；并且，斜坡的實際形狀變成101a，與預期的形狀101b不同，也就是說，斜坡的形狀也難以控制。

本申請提供一種在薄膜中形成斜面的方法，在保護膜的開口周圍形成位于保護膜與薄膜之間的空洞，在空洞處使薄膜暴露，便于腐蝕，因此，在保護膜與薄膜接觸的位置，可以具有較高的密接程度，在形成斜面的過程中，能夠對斜面頂部的薄膜的形狀進行精確地控制。

根據本申請實施例的一個方面，提供一種在薄膜中形成斜面的方法，包括：

在薄膜的表面形成保護膜圖形，在所述保護膜圖形中形成有開口；

在所述開口周圍的保護膜圖形與所述薄膜之間，形成空洞，所述空洞與所述開口連通；

以所述保護膜圖形作為掩膜，經由所述開口對所述薄膜進行各向異性刻蝕，在所述薄膜中形成側壁；

以所述保護膜圖形作為掩膜，經由所述開口對所述薄膜進行各向同性刻蝕，以使所述側壁成為相對于所述薄膜的表面的法向傾斜的斜面。