[發明專利]一種在薄膜中形成斜面的方法在審
| 申請號： | 201711139722.5 | 申請日： | 2017-11-16 |
| 公開（公告）號： | CN109795977A | 公開（公告）日： | 2019-05-24 |
| 發明（設計）人： | 王詩男 | 申請（專利權）人： | 上海新微技術研發中心有限公司 |
| 主分類號： | B81C1/00 | 分類號： | B81C1/00;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京知元同創知識產權代理事務所(普通合伙) 11535 | 代理人： | 劉元霞 |
| 地址： | 201800 上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 薄膜 保護膜圖形 開口 側壁 掩膜 空洞 表面形成保護膜 各向同性刻蝕 各向異性刻蝕 開口周圍 法向 連通 申請 | ||
1.一種在薄膜中形成斜面的方法，包括：
在薄膜的表面形成保護膜圖形，在所述保護膜圖形中形成有開口；
在所述開口周圍的保護膜圖形與所述薄膜之間，形成空洞，所述空洞與所述開口連通；
以所述保護膜圖形作為掩膜，經由所述開口對所述薄膜進行各向異性刻蝕，在所述薄膜中形成側壁；
以所述保護膜圖形作為掩膜，經由所述開口對所述薄膜進行各向同性刻蝕，以使所述側壁成為相對于所述薄膜的表面的法向傾斜的斜面。
2.如權利要求1所述的方法，其中，所述保護膜圖形具有上層保護膜和犧牲膜，所述犧牲膜位于所述上層保護膜與所述薄膜的表面之間，所述開口貫穿所述上層保護膜，
形成所述空洞包括：
通過所述開口去除所述開口下方的所述犧牲膜的一部分或全部，以形成所述空洞。
3.如權利要求1所述的方法，其中，所述各向異性刻蝕為加有偏壓的等離子體刻蝕、加速離子刻蝕或加速原子刻蝕。
4.如權利要求3所述的方法，其中，所述加有偏壓的等離子體刻蝕為反應性離子刻蝕，所述加速離子刻蝕為聚焦離子束刻蝕，所述加速原子刻蝕為快速原子束刻蝕。
5.如權利要求1所述的方法，該各向同性的刻蝕為氣體刻蝕或液體刻蝕。
6.如權利要求5所述的方法，其中，該氣體為等離子體。
7.如權利要求1所述的方法，其中，該薄膜為硅系半導體材料，化合物半導體材料，金屬，或合金材料。
8.權利要求2所述的方法，其中，
部分或完全去除該犧牲膜時選擇對薄膜損傷微小的方法。
9.如權利要求1所述的方法，該空洞的保護膜圖形和所述薄膜之間的間隙小于所述薄膜的厚度。
10.如權利要求2所述的方法，其中，該犧牲膜的厚度小于所述薄膜的厚度。
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