[發明專利]一種蔭罩及其制造方法

有效

• 申請號: 201711139437.3
• 申請日: 2017-11-16
• 公開（公告）號: CN108123067B
• 公開（公告）日: 2019-05-31
• 發明（設計）人: 居宇涵;陳雪峰
• 申請（專利權）人: 上海視涯信息科技有限公司
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56;H01L51/00
• 代理公司: 上海恒銳佳知識產權代理事務所(普通合伙) 31286
• 代理人: 黃海霞

1.一種蔭罩，其特征在于，所述蔭罩包括硅基板、貫穿所述硅基板的狹縫以及所述狹縫之間的支撐部，所述蔭罩包括第一表面及第二表面；在所述蔭罩的第一表面，所述狹縫具有第一寬度X，在所述蔭罩的第二表面，所述狹縫具有第二寬度Y，其中，X＜Y；

所述支撐部摻雜有硼離子，并且，從所述第一表面方向至所述第二表面方向，所述摻雜的硼離子的濃度逐漸降低。

2.根據權利要求1所述的蔭罩，其特征在于，所述硼離子的摻雜厚度為1微米～10微米。

3.根據權利要求1所述的蔭罩，其特征在于，所述第一寬度X的范圍為1微米～80微米，所述第二寬度Y的范圍為2微米～100微米，所述第一寬度X和第二寬度Y的差值范圍為1微米～20微米。

4.根據權利要求1所述的蔭罩，其特征在于，所述支撐部的側壁與所述蔭罩的第二表面之間具有夾角α，其中，140°≥α＞90°。

5.根據權利要求1所述的蔭罩，其特征在于，所述支撐部的側壁為直線或者曲線狀。

6.根據權利要求1所述的蔭罩，其特征在于，所述蔭罩還包括硅基板的周邊區域形成的框架部，所述框架部的厚度大于所述支撐部的厚度。

7.一種蔭罩的形成方法，所述蔭罩包括硅基板、貫穿所述硅基板的狹縫以及位于所述狹縫之間的支撐部，其特征在于，所述形成方法包括：

步驟S11：提供一硅基板，所述硅基板包括第一表面和第二表面；

步驟S12：在所述硅基板的第一表面進行硼離子摻雜，所述硼離子摻雜的厚度為a；摻雜的硼離子在厚度方向形成濃度差異，從所述第一表面方向至所述第二表面方向，硼離子的濃度逐漸降低；

步驟S13：在所述硅基板的第一表面上形成第一保護層；

步驟S14：在所述第一保護層上形成第一光刻膠層，對所述第一光刻膠層進行曝光和顯影，去除所述狹縫對應區域的第一光刻膠；

步驟S15：以所述第一光刻膠層為掩膜，對所述第一保護層及所述硅基板的第一表面進行刻蝕，以去除所述狹縫對應區域的所述第一保護層及厚度為b的所述硅基板，所述硅基板的第一表面形成臺階狀，并且b≥a；

步驟S16：去除所述第一光刻膠層；

步驟S17：對所述硅基板進行刻蝕，以去除狹縫對應區域的所述硅基板，保留支撐部對應區域的硅基板，所述支撐部為摻雜有硼離子處的硅基板；

步驟S18：對所述硅基板進行濕法刻蝕，刻蝕所述支撐部的邊緣形成所述狹縫，硼離子濃度越小部分濕法刻蝕時被刻蝕率越大，使得在所述硅基板的第一表面，所述狹縫具有第一寬度X，在所述硅基板的第二表面，所述狹縫具有第二寬度Y，并且X＜Y；

步驟S19：刻蝕去除所述第一保護層。

8.根據權利要求7所述的形成方法，其特征在于，在步驟S12中進行硼離子摻雜時，硼離子的濃度大于等于10²⁰個每立方厘米。

9.根據權利要求7所述的形成方法，其特征在于，在步驟S13中，以低壓化學氣相沉積法形成所述第一保護層。

10.根據權利要求7所述的形成方法，其特征在于，所述步驟S17為濕法刻蝕。

11.根據權利要求7所述的形成方法，其特征在于，所述步驟S17和步驟S18合并為同一步驟進行。

12.根據權利要求7、10、11任一所述的形成方法，其特征在于，所述濕法刻蝕的刻蝕液為氫氧化鉀(KOH)溶液，或者為四甲基氫氧化銨(TMAH)溶液。

13.根據權利要求7所述的形成方法，其特征在于，在步驟S19中，所述刻蝕為濕法刻蝕，刻蝕液為磷酸(H₃PO₄)溶液。