[發(fā)明專利]一種蔭罩及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711139437.3
• 申請(qǐng)日: 2017-11-16
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108123067B
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-05-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 居宇涵;陳雪峰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海視涯信息科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L51/56
• 分類號(hào): H01L51/56;H01L51/00
• 代理公司: 上海恒銳佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31286
• 代理人: 黃海霞

本發(fā)明提供一種蔭罩，包括硅基板、貫穿所述硅基板的狹縫以及所述狹縫之間的支撐部，所述蔭罩包括第一表面及第二表面；在所述蔭罩的第一表面，所述狹縫具有第一寬度X，在所述蔭罩的第二表面，所述狹縫具有第二寬度Y，其中，X＜Y。本發(fā)明提供的蔭罩可以改善蒸鍍工藝中的陰影效應(yīng)不良。另外，本發(fā)明還提供上述蔭罩的形成方法。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)，尤其涉及一種OLED顯示面板生產(chǎn)用的蔭罩及其制造方法。

背景技術(shù)

有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light-EmittingDiode,OLED)顯示器，具有自發(fā)光、廣視角、高對(duì)比度、較低耗電、高反應(yīng)速度等優(yōu)點(diǎn)，越來(lái)越受到市場(chǎng)的青睞，預(yù)計(jì)在不遠(yuǎn)的將來(lái)將取代液晶顯示技術(shù)成為主流顯示技術(shù)。有機(jī)發(fā)光二極管最簡(jiǎn)單的形式是由一個(gè)發(fā)光材料層嵌在兩個(gè)電極之間的結(jié)構(gòu)組成，輸入電壓時(shí)載流子運(yùn)動(dòng)，穿過(guò)有機(jī)層，直至電子空穴并重新結(jié)合，這樣達(dá)到能量守恒并將過(guò)量的能量以光脈沖形式釋放。有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的發(fā)光材料層是通過(guò)蒸鍍工藝形成在電極之上的，在這種制造方法下，構(gòu)成發(fā)光單元的固體材料在坩堝中被加熱后蒸發(fā)或者升華為氣態(tài)，并擴(kuò)散到基板上。這些材料在基板上冷卻后重新成為固態(tài)并附著在基板上，組成OLED器件。

OLED顯示器的每個(gè)像素由紅、綠、藍(lán)三個(gè)OLED器件組成，而這三個(gè)OLED器件所需要的材料并不相同。因此在蒸鍍某一種材料時(shí)，必須在坩堝和基板之間放入特定蔭罩，被蒸鍍的材料從蔭罩的狹縫穿過(guò)附著在基板上，蒸鍍的支撐部用以遮蔽不需要該材料的區(qū)域。

制作1000PPI(Pixels Per Inch，每英寸像素?cái)?shù))及以上解析度的OLED顯示器，需要狹縫小于10um且厚度小于5um的蔭罩。請(qǐng)參考圖1，為傳統(tǒng)的金屬材料蔭罩，狹縫H和厚度D均在20um以上，無(wú)法滿足高解析度顯示器的工藝需求。目前業(yè)界還有一種使用氮化硅制作薄膜蔭罩的方法，但氮化硅材料應(yīng)力大，制作過(guò)程中容易碎，蔭罩尺寸越大該問(wèn)題越明顯，同時(shí)，氮化硅薄膜蔭罩的陰影效應(yīng)問(wèn)題也無(wú)法解決。如圖2所示，當(dāng)使用氮化硅蔭罩12進(jìn)行蒸鍍時(shí)，蒸鍍?cè)?1加熱的有機(jī)發(fā)光材料升華后通過(guò)氮化硅蔭罩12的狹縫13向基板14上的目標(biāo)區(qū)域擴(kuò)散，因?yàn)榈枋a罩12的遮擋，會(huì)形成外陰影區(qū)域D1和內(nèi)陰影區(qū)域D2，外陰影區(qū)域D1是指實(shí)際沉積范圍超出了目標(biāo)區(qū)域，內(nèi)陰影區(qū)域D2是有機(jī)發(fā)光材料在目標(biāo)區(qū)域的邊緣處成膜較薄的情況，陰影效應(yīng)問(wèn)題嚴(yán)重影響蒸鍍效果。

發(fā)明內(nèi)容

為了克服現(xiàn)有技術(shù)的問(wèn)題，本發(fā)明提供一種蔭罩，所述蔭罩包括硅基板、貫穿所述硅基板的狹縫以及所述狹縫之間的支撐部，所述蔭罩包括第一表面及第二表面；在所述蔭罩的第一表面，所述狹縫具有第一寬度X，在所述蔭罩的第二表面，所述狹縫具有第二寬度Y，其中，X＜Y。

可選地，所述蔭罩的支撐部摻雜有硼離子，所述硼離子的摻雜厚度為1～10微米。

可選地，所述第一寬度X的范圍為1微米～80微米，所述第二寬度Y的范圍為2微米～100微米，所述第一寬度X和第二寬度Y的差值范圍為1微米～20微米。

可選地，所述第一寬度X和第二寬度Y之間連線與所述蔭罩的第二表面之間具有夾角α，其中，140°≥α＞90°。

可選地，所述狹縫之間的支撐部的側(cè)壁為直線或者曲線狀。

可選地，所述蔭罩還包括硅基板的周邊區(qū)域形成的框架部，所述框架部的厚度大于所述支撐部的厚度。

本發(fā)明還提供一種蔭罩的形成方法，所述蔭罩包括硅基板、貫穿所述硅基板的狹縫以及位于所述狹縫之間的支撐部，所述形成方法包括：

步驟S11：提供一硅基板，所述硅基板包括第一表面和第二表面；

步驟S12：在所述硅基板的第一表面進(jìn)行硼離子摻雜，所述硼離子摻雜的厚度為a，摻雜的硼離子在厚度方向形成濃度差異，從所述第一表面方向至所述第二表面方向，所述摻雜的硼離子的濃度逐漸降低；