[發(fā)明專利]陽極靶、射線光源、計(jì)算機(jī)斷層掃描設(shè)備及成像方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711136934.8 | 申請日: | 2017-09-18 |
| 公開(公告)號: | CN107731644B | 公開(公告)日: | 2019-10-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 譚承君;黃文會;唐傳祥;靳清秀;張東生;羅群;劉東海;張路明;吳沛東 | 申請(專利權(quán))人: | 同方威視技術(shù)股份有限公司;清華大學(xué) |
| 主分類號: | H01J35/08 | 分類號: | H01J35/08 |
| 代理公司: | 北京律智知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11438 | 代理人: | 闞梓瑄;王衛(wèi)忠 |
| 地址: | 100084 北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 陽極 射線 光源 計(jì)算機(jī) 斷層 掃描 設(shè)備 成像 方法 | ||
本申請公開一種陽極靶、射線光源、計(jì)算機(jī)斷層掃描設(shè)備及成像方法。涉及射線處理技術(shù)領(lǐng)域,該陽極靶包括:多個(gè)靶結(jié)構(gòu),用于接收由陰極發(fā)射出的電子束,以產(chǎn)生射線,所述多個(gè)靶點(diǎn)為具有斜面的立體結(jié)構(gòu);銅冷卻體,用于承載所述靶點(diǎn),所述銅冷卻體包括無氧銅冷卻體;冷卻油管,用于對陽極靶進(jìn)行冷卻;以及屏蔽層,用于產(chǎn)生屏蔽作用,所述屏蔽層包括鎢屏蔽層。本申請的陽極靶、射線光源、計(jì)算機(jī)斷層掃描設(shè)備及成像方法,能夠使得陽極靶上所有的靶點(diǎn)均分布在一條直線上,提高射線系統(tǒng)的成像質(zhì)量,簡化成像系統(tǒng)的復(fù)雜性。
本申請是申請?zhí)枮?01710842782.7,申請日為2017年09月18日,發(fā)明名稱為《陽極靶、射線光源、計(jì)算機(jī)斷層掃描設(shè)備及成像方法》的分案申請。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及射線成像技術(shù)領(lǐng)域,具體而言,涉及一種陽極靶、射線光源、計(jì)算機(jī)斷層掃描設(shè)備及成像方法。
背景技術(shù)
X射線在工業(yè)無損檢測、安全檢查、醫(yī)學(xué)診斷和治療等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。特別是,利用X射線的高穿透能力制成的X射線透視成像設(shè)備在人們?nèi)粘I畹姆椒矫婷姘l(fā)揮著重要作用。這類設(shè)備早期的是膠片式的平面透視成像設(shè)備,目前的先進(jìn)技術(shù)是數(shù)字化、多視角并且高分辨率的立體成像設(shè)備,例如CT(computed tomography,計(jì)算機(jī)斷層)成像設(shè)備,可以獲得高清晰度的三維立體圖形或切片圖像,是先進(jìn)的高端應(yīng)用。在現(xiàn)有的CT設(shè)備中,X射線發(fā)生裝置需要在滑環(huán)上運(yùn)動,為了提高檢查速度,通常X射線發(fā)生裝置的運(yùn)動速度非常高,導(dǎo)致設(shè)備整體的可靠性和穩(wěn)定性降低,此外,受運(yùn)動速度的限制,CT的檢查速度也受到了限制,因此檢查效率較低。另外,此類設(shè)備的X射線源在滑環(huán)上運(yùn)動,導(dǎo)致等效的X射線源焦點(diǎn)變大,從而使得的成像的圖片存在運(yùn)動偽影,清晰度差,對一些較小的違禁品存在漏檢的可能性。并且此類設(shè)備只能檢查靜止(或者緩慢運(yùn)動)的物體,對于運(yùn)動的物體,幾乎無法成三維立體圖。
現(xiàn)有技術(shù)中,采用熱陰極作為電子發(fā)射單元,并且對熱陰極進(jìn)行陣列排布,利用熱陰極柵極間的電壓控制電子的發(fā)射,從而控制每一個(gè)陰極按順序發(fā)射電子,在陽極上按相應(yīng)順序位置轟擊靶點(diǎn),成為分布式X射線源。通過電控開關(guān)代替螺旋CT的機(jī)械旋轉(zhuǎn),可以在多個(gè)視角快速產(chǎn)生X射線源,從而從過個(gè)角度進(jìn)行快速成像,該方法相比較以往的方法可大大的提高檢查效率;提高圖像的清晰度;并且該方案結(jié)構(gòu)簡單、系統(tǒng)穩(wěn)定、可靠性高。但是由于現(xiàn)有技術(shù)中CT設(shè)備輸出高能射線只能為單一能量級的射線束,不滿足更多使用需求。
因此,需要一種新的陽極靶、射線光源、計(jì)算機(jī)斷層掃描設(shè)備及成像方法。
在所述背景技術(shù)部分公開的上述信息僅用于加強(qiáng)對本發(fā)明的背景的理解,因此它可以包括不構(gòu)成對本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此,本發(fā)明提供一種陽極靶、射線光源、計(jì)算機(jī)斷層掃描設(shè)備及成像方法,能夠提供雙能分布式射線成像數(shù)據(jù),提高射線系統(tǒng)的成像質(zhì)量。
本發(fā)明的其他特性和優(yōu)點(diǎn)將通過下面的詳細(xì)描述變得顯然,或部分地通過本發(fā)明的實(shí)踐而習(xí)得。
根據(jù)本發(fā)明的一方面,提出一種陽極靶,該陽極靶包括:第一陽極靶,用于通過其上承載的第一電壓使得由陰極發(fā)射出的電子束在所述第一陽極靶的靶點(diǎn)上產(chǎn)生第一射線;第二陽極靶,用于通過其上承載的第二電壓使得由陰極發(fā)射出的電子束在所述第二陽極靶的靶點(diǎn)上產(chǎn)生第二射線;以及陶瓷體,用于隔離所述第一陽極靶與所述第二陽極靶。
在本公開的一種示例性實(shí)施例中,還包括:冷卻油管,用于對所述第一陽極靶與所述第二陽極靶進(jìn)行冷卻;以及屏蔽層,用于對所述陽極靶產(chǎn)生的射線進(jìn)行屏蔽。
在本公開的一種示例性實(shí)施例中,所述陶瓷體包括:被金屬化的陶瓷體。
在本公開的一種示例性實(shí)施例中,所述第一陽極靶,所述第二陽極靶與所述金屬化的陶瓷體通過金銅焊接相連。
在本公開的一種示例性實(shí)施例中,所述陰極在所述陽極靶的兩端錯(cuò)開排布。
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