[發明專利]基板處理裝置

在審

• 申請號: 201711136158.1
• 申請日: 2017-11-16
• 公開（公告）號: CN108074843A
• 公開（公告）日: 2018-05-25
• 發明（設計）人: 岡村聰;枇杷聰
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;張會華

本發明提供一種能夠容易地進行處理容器的維護作業的基板處理裝置。基板處理裝置(3)具備：容器主體(311)，其收容基板(W)，并且，使用高壓的處理流體對基板(W)進行處理；輸送口(312)，其用于相對于容器主體(311)內輸入和輸出基板(W)。在容器主體(311)的、與輸送口(312)不同的位置設有開口(321)。開口(321)被第2蓋構件(322)封堵。

技術領域

本發明涉及基板處理裝置。

背景技術

在將集成電路的層疊構造形成于作為基板的半導體晶圓(以下稱為晶圓)等的表面的半導體裝置的制造工序中，進行利用化學溶液等清洗液將晶圓表面的微小的塵土、自然氧化膜去除等利用液體來對晶圓表面進行處理的液處理工序。

公知有在將在這樣的液處理工序中殘留到晶圓的表面的液體去除之際使用超臨界狀態的處理流體的方法。

例如專利文獻1公開了一種基板處理裝置，使超臨界狀態的流體與基板接觸而將殘留到基板的液體去除。另外，專利文獻2公開一種基板處理裝置，利用超臨界流體從基板之上使有機溶劑溶解而使基板干燥。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2013-12538號公報

專利文獻2：日本特開2013-16798號公報

發明內容

發明要解決的問題

不過，以往，在使用了超臨界狀態的流體的基板處理裝置中，處理容器的內部成為高壓，因此，為了提高處理容器的耐壓性，縮小基板的輸送口的面積。因此，存在處理容器內的維護作業并不容易這樣的問題。

本發明是在這樣的背景下做成的，目的在于提供一種能夠容易地進行處理容器內的維護作業的基板處理裝置。

用于解決問題的方案

本發明的一實施方式涉及一種基板處理裝置，其具備：容器主體，其用于收容基板，并且使用高壓的處理流體對所述基板進行處理；輸送口，其用于相對于所述容器主體內輸入和輸出所述基板；開口，其設于所述容器主體的、與所述輸送口不同的位置；蓋構件，其封堵所述開口。

發明的效果

根據本發明，能夠容易地進行處理容器內的維護作業。

附圖說明

圖1是表示清洗處理系統的整體結構的橫剖俯視圖。

圖2是表示超臨界處理裝置的處理容器的一個例子的外觀立體圖。

圖3是表示超臨界處理裝置的處理容器的一個例子的剖視圖。

圖4是表示處理容器的維護用開口的周圍的剖視圖。

圖5是表示處理容器的維護用開口的周圍的剖視圖。

圖6是表示超臨界處理裝置的系統整體的結構例的圖。

圖7是用于說明IPA的干燥機理的圖，簡單地表示晶圓所具有的作為凹部的圖案的放大剖視圖。

圖8的(a)、(b)是表示維護超臨界處理裝置的處理容器之際的作用的剖視圖。

圖9是表示超臨界處理裝置的處理容器的變形例的側視圖。