[發(fā)明專利]半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201711135070.8 | 申請(qǐng)日: | 2017-11-16 |
| 公開(公告)號(hào): | CN108666323B | 公開(公告)日: | 2022-01-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 二山拓也;四方剛 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 東芝存儲(chǔ)器株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L27/1157 | 分類號(hào): | H01L27/1157;H01L27/11578 |
| 代理公司: | 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287 | 代理人: | 楊林勳 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 存儲(chǔ) 裝置 | ||
實(shí)施方式提供一種能夠提高動(dòng)作可靠性的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置。一實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置具備:第1區(qū)域(BLK),包含沿著第1方向(X方向)并排地排列著多條的第1配線(SGD)、將相鄰的第1配線(SGD)間分離的第1絕緣膜(SLT2)、及以橫跨相鄰的第1配線(SGD)間的方式設(shè)置的第1柱(MP);以及第2、第3區(qū)域(SLT1),以在第2方向(Y方向)上將第1區(qū)域(BLK)夾在中間的方式定位,且包含第2絕緣膜。第1柱(MP)包含導(dǎo)電層、柵極絕緣膜及電荷累積層。設(shè)置在第1區(qū)域(BLK)內(nèi)的第1配線(SGD)的條數(shù)為奇數(shù)條。
[相關(guān)申請(qǐng)]
本申請(qǐng)享有以日本專利申請(qǐng)2017-61208號(hào)(申請(qǐng)日:2017年3月27日)及日本專利申請(qǐng)2017-168249號(hào)(申請(qǐng)日:2017年9月1日)作為基礎(chǔ)申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)。本申請(qǐng)通過參照該基礎(chǔ)申請(qǐng)而包含基礎(chǔ)申請(qǐng)的全部內(nèi)容。
技術(shù)領(lǐng)域
實(shí)施方式涉及一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置。
背景技術(shù)
已知一種將存儲(chǔ)單元三維地排列而成的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。
發(fā)明內(nèi)容
實(shí)施方式提供一種能夠提高動(dòng)作可靠性的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置。
實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置具備:第1區(qū)域,包含設(shè)置在半導(dǎo)體襯底上方且沿著作為半導(dǎo)體襯底的面內(nèi)方向的第1方向并排地排列著多條的第1配線、將相鄰的第1配線間分離的第1絕緣膜、及以橫跨相鄰的第1配線間的方式設(shè)置的第1柱;以及第2、第3區(qū)域,以在半導(dǎo)體襯底的面內(nèi)方向且與第1方向不同的第2方向上將第1區(qū)域夾在中間的方式定位,且包含從半導(dǎo)體襯底上設(shè)置到第1配線的高度的第2絕緣膜。第1柱包含導(dǎo)電層、柵極絕緣膜及電荷累積層。設(shè)置在第1區(qū)域內(nèi)的第1配線的條數(shù)為奇數(shù)條。
附圖說明
圖1是第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的框圖。
圖2是第1實(shí)施方式的存儲(chǔ)單元陣列的電路圖。
圖3是第1實(shí)施方式的選擇柵極線的平面布局。
圖4是第1實(shí)施方式的字線的平面布局。
圖5是第1實(shí)施方式的區(qū)塊的剖視圖。
圖6是第1實(shí)施方式的區(qū)塊的剖視圖。
圖7是第1實(shí)施方式的存儲(chǔ)單元晶體管的剖視圖。
圖8是第1實(shí)施方式的存儲(chǔ)單元晶體管的剖視圖。
圖9是第1實(shí)施方式的存儲(chǔ)單元晶體管的剖視圖。
圖10是第1實(shí)施方式的存儲(chǔ)單元晶體管的剖視圖。
圖11是第1實(shí)施方式的存儲(chǔ)柱的等效電路圖。
圖12是第1實(shí)施方式的選擇柵極線的平面布局。
圖13是第1實(shí)施方式的選擇柵極線的平面布局。
圖14是第1實(shí)施方式的讀出動(dòng)作時(shí)的各種信號(hào)的時(shí)序圖。
圖15是第1實(shí)施方式的第1變化例的選擇柵極線的平面布局。
圖16是第2實(shí)施方式的寫入動(dòng)作時(shí)的各種信號(hào)的時(shí)序圖。
圖17是第2實(shí)施方式的寫入動(dòng)作時(shí)的各種信號(hào)的時(shí)序圖。
圖18是第3實(shí)施方式的選擇柵極線的平面布局。
圖19是第3實(shí)施方式的選擇柵極線的平面布局。
圖20是第3實(shí)施方式的選擇柵極線的平面布局。
圖21是第3實(shí)施方式的選擇柵極線的平面布局。
圖22是第3實(shí)施方式的第1變化例的選擇柵極線的平面布局。
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- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
- 動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)管理裝置及方法
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