[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711135070.8
• 申請(qǐng)日: 2017-11-16
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108666323B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-01-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 二山拓也;四方剛
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 東芝存儲(chǔ)器株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/1157
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/1157;H01L27/11578
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 楊林勳

1.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于具備：

第1區(qū)域，包含設(shè)置在半導(dǎo)體襯底上方且沿著作為所述半導(dǎo)體襯底的面內(nèi)方向的第1方向延伸的多條第1配線(xiàn)、將相鄰的所述第1配線(xiàn)間分離的第1絕緣膜、及以橫跨相鄰的所述第1配線(xiàn)間的方式設(shè)置的第1柱；以及

第2、第3區(qū)域，以在所述半導(dǎo)體襯底的面內(nèi)方向且與所述第1方向不同的第2方向上將所述第1區(qū)域夾在中間的方式定位，且包含從所述半導(dǎo)體襯底上設(shè)置到所述第1配線(xiàn)的高度的第2絕緣膜；且

所述第1柱包含導(dǎo)電層、柵極絕緣膜及電荷累積層，

設(shè)置在所述第1區(qū)域內(nèi)的所述第1配線(xiàn)的條數(shù)為奇數(shù)條；

所述多條第1配線(xiàn)中位于所述第2方向上的兩端的2條第1配線(xiàn)相互電連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于：

位于所述兩端的2條第1配線(xiàn)進(jìn)而與所述奇數(shù)條第1配線(xiàn)中的在所述第2方向上位于中央的第1配線(xiàn)相互電連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于：

位于所述兩端的2條第1配線(xiàn)進(jìn)而與在所述第2方向上位于從位于一端的第1配線(xiàn)數(shù)起為第2條的第1配線(xiàn)相互電連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于：

在所述第1柱中，在橫跨相鄰的所述第1配線(xiàn)的區(qū)域設(shè)置將相鄰的所述第1配線(xiàn)用作各自的柵極電極的第1選擇晶體管及第2選擇晶體管，

在所述第1選擇晶體管中所述第1配線(xiàn)與所述電荷累積層對(duì)向的面積和所述第2選擇晶體管中所述第1配線(xiàn)與所述電荷累積層對(duì)向的面積不同。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于：

所述第1區(qū)域還具備：

第2配線(xiàn)，在所述半導(dǎo)體襯底上方且所述第1配線(xiàn)下方，沿著所述第1方向并排地排列著多條；及第1絕緣膜，將相鄰的所述第2配線(xiàn)間分離；且

所述第1柱沿著所述第1配線(xiàn)與第2配線(xiàn)的積層方向設(shè)置，且以橫跨相鄰的所述第2配線(xiàn)的方式設(shè)置。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于：

在所述第1柱中，在橫跨相鄰的所述第2配線(xiàn)的區(qū)域設(shè)置將相鄰的所述第2配線(xiàn)用作各自的柵極電極的第1存儲(chǔ)單元晶體管及第2存儲(chǔ)單元晶體管，

在所述第1存儲(chǔ)單元晶體管中所述第2配線(xiàn)與所述電荷累積層對(duì)向的面積和所述第2存儲(chǔ)單元晶體管中所述第2配線(xiàn)與所述電荷累積層對(duì)向的面積不同。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于：

所述第2區(qū)域還具備第2柱，所述第2柱是以橫跨相鄰的第1配線(xiàn)間的方式設(shè)置，

所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置還具備：

第1位線(xiàn)，電連接于所述第1柱；及

第2位線(xiàn)，連接于所述第2柱；且

所述第1柱所橫跨的相鄰的2條所述第1配線(xiàn)中的一條與所述第2柱所橫跨的相鄰的2條所述第1配線(xiàn)中的一條為共用的配線(xiàn)，另一條為不同的配線(xiàn)，

讀出動(dòng)作時(shí)的所述第1位線(xiàn)及第2位線(xiàn)的預(yù)充電電位不同。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于：

在所述第2柱中，在橫跨相鄰的所述第1配線(xiàn)的區(qū)域設(shè)置將相鄰的所述第1配線(xiàn)用作各自的柵極電極的第3選擇晶體管及第4選擇晶體管，

所述第1選擇晶體管與所述第3選擇晶體管共用柵極電極，

在所述第1選擇晶體管中所述第1配線(xiàn)與所述電荷累積層對(duì)向的面積大于所述第2選擇晶體管中所述第1配線(xiàn)與所述電荷累積層對(duì)向的面積，

所述第1位線(xiàn)的所述預(yù)充電電位小于所述第2位線(xiàn)的預(yù)充電電位。