[發明專利]半導體裝置的形成方法

有效

• 申請號: 201711131821.9
• 申請日: 2017-11-15
• 公開（公告）號: CN109427552B
• 公開（公告）日: 2023-05-23
• 發明（設計）人: 沈育佃;葉雅雯;林緯良;張雅惠;嚴永松;吳偉豪;林立德;劉如淦;陳桂順
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;H01L21/033
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 李昕巍;章侃銥

1.一種半導體裝置的形成方法，包括：

提供一基板以及該基板上的一圖案化層，其中該基板包含多個結構以接受一處理工藝；

形成至少一開口于該圖案化層中，其中在一上視圖中的該些結構部分地露出于至少一該開口下；

進行一方向性蝕刻，使該圖案化層中的至少一該開口于第一方向中的尺寸擴大，以形成至少一擴大的開口于該圖案化層中；以及

經由至少一該擴大的開口對該些結構進行該處理工藝，其中每一該些結構沿著第二方向縱向延伸，且第一方向垂直于第二方向。

2.如權利要求1所述的半導體裝置的形成方法，其中進行該方向性蝕刻以形成至少一該擴大的開口的步驟中，在該上視圖中至少一該擴大的開口完全露出該些結構。

3.如權利要求1所述的半導體裝置的形成方法，其中在該上視圖中至少一該開口不具有一凹角。

4.如權利要求3所述的半導體裝置的形成方法，其中在該上視圖中每一該擴大的開口為具有圓潤角落的矩形圖案。

5.如權利要求1所述的半導體裝置的形成方法，其中在該上視圖中至少一該擴大的開口包含兩個或更多擴大的開口，且該些擴大的開口沿著第一方向縱向延伸的中心線未對準。

6.如權利要求1所述的半導體裝置的形成方法，其中至少一該擴大的開口包含兩個或更多擴大的開口合并。

7.如權利要求1所述的半導體裝置的形成方法，其中至少一該擴大的開口包含兩個或更多擴大的開口彼此分離。

8.如權利要求1所述的半導體裝置的形成方法，其中進行該方向性蝕刻的步驟包括對該圖案化層進行斜向等離子體蝕刻工藝。

9.如權利要求1所述的半導體裝置的形成方法，其中該些結構為多個主動區，且該處理工藝包含離子布植。

10.如權利要求1所述的半導體裝置的形成方法，其中該些結構為多個柵極結構，且該處理工藝包括柵極切割工藝。

11.一種半導體裝置的形成方法，包括：

提供一基板，且該基板具有多個結構以進行工藝；

形成一圖案化層于該基板上；

形成多個孔洞于該圖案化層中，而該些孔洞不具有凹角且部分地露出該些結構；

對每一該些孔洞的內側壁進行一方向性蝕刻工藝，以形成多個延伸的孔洞，且該些延伸的孔洞完全露出該些結構；以及

經由該些延伸的孔洞對結構進行一處理工藝。

12.如權利要求11所述的半導體裝置的形成方法，其中每一該些延伸的孔洞尺寸與其他該些延伸的孔洞尺寸相同。

13.如權利要求11所述的半導體裝置的形成方法，其中每一該些延伸的孔洞彼此分離。

14.如權利要求11所述的半導體裝置的形成方法，其中每一該些孔洞完全露出至少一該些結構。

15.如權利要求11所述的半導體裝置的形成方法，其中至少一該些孔洞完全露出該些結構的一者，且部分地露出該些結構的另一者。

16.一種半導體裝置的形成方法，包括：

提供一基板與該基板上的一圖案化層，其中該基板具有一區域以進行工藝；

提供一目標圖案以對應一開口，且該開口具有至少一凹角且形成于該圖案化層中以完全露出該區域；

將該目標圖案轉為一調整圖案，其中該開口分成多個孔洞，且每一該些孔洞不具有凹角；

依據該調整圖案形成多個孔洞于該圖案化層中；以及

進行一方向性蝕刻擴大每一該些孔洞于一方向的尺寸，以形成多個擴大的孔洞，其中該些擴大的孔洞完全露出該區域。