[發明專利]高散熱等線距堆棧芯片封裝結構及其封裝方法在審
| 申請號: | 201711127223.4 | 申請日: | 2017-11-15 |
| 公開(公告)號: | CN107863333A | 公開(公告)日: | 2018-03-30 |
| 發明(設計)人: | 朱能煌;江進良 | 申請(專利權)人: | 貴州貴芯半導體有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/498 | 分類號: | H01L23/498;H01L25/07;H01L23/367;H01L21/56 |
| 代理公司: | 貴陽春秋知識產權代理事務所(普通合伙)52109 | 代理人: | 楊云 |
| 地址: | 550025 貴州*** | 國省代碼: | 貴州;52 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 散熱 堆棧 芯片 封裝 結構 及其 方法 | ||
技術領域
本發明是關于堆棧芯片封裝結構及其封裝方法,尤其關于一種利用晶粒玻璃接合技術而堆棧芯片封裝結構及其制造方法。
背景技術
因數據量龐大,對于效能需求的增加,目前服務器大多需使用多個中央處理器(Central Processing Unit, CPU)進行運算處理,不論是雙處理器、四處理器或是更多的處理器,在現有的架構,都是將每個處理器分別設置在主板的各個位置,再進行電路設計布局。此種方式至少有兩個重大的缺失,其一是每個處理器都具有多個針腳需連接于主板,且還有時序的問題,因此大幅度地增加電路布線的復雜度;其二是每個處理器都會占用主板的空間,當處理器數量的增加,對應也需不斷地擴大主板的尺寸,使得主機的體積會非常龐大,以上兩個缺失的結合,會造成服務器整體結構設計非常困難。
雖有習知技術將多個CPU的積體電路(也稱集成電路,IC),或稱芯片(chip)、晶粒(die)、裸晶進行堆棧后封裝,但這些先前技術分別仍有缺失和相異于本發明之處如下述說明。
中國發明專利CN101107710 B所堆棧的為不同尺寸的集成電路(即積體電路),其作用也不相同,上面集成電路的面積大于下面集成電路的面積,且兩者接合于同一基板,其說明書中敘述要防止樹脂流到基板的中央孔洞,以用于讓光線穿透。美國發明專利US20060016973 A1也為不同尺寸的集成電路,且兩者接合于同一基板,其基板中央孔洞也用于透光。美國發明專利US8531019 B2雖基板中央的通孔是用于散熱,但通孔內部為金屬線,并將其連接金屬板和錫球來達到散熱的目的。US6365963 B也為不同尺寸的集成電路,且接合于同一基板,其基板的通孔是用于連接線路。中國臺灣發明專利200810063的基板不是玻璃基板,且是將兩個基板進行接合,并非分別接和于封裝主體,且其說明書中記載以附圖的方式堆棧集成電路,會產生連接不良的問題,為一反面事例。
除上述敘述外,習知技術(即現有技術)都未考慮到電路布線的問題,因此申請人提出一種以可藉由等線距解決電路布線問題,并具有高散熱優點的堆棧芯片封裝結構和封裝制作方法,以改善習知技術的缺失,并同時達到有效縮小封裝體面積的功效。
發明內容
有鑒于習知技術的缺失,本發明提供一種高散熱等線距堆棧芯片封裝結構及其封裝方法。
本發明的高散熱等線距堆棧芯片封裝結構,包括:第一玻璃基板,其包含第一基板表面、第二基板表面及貫通第一基板表面和第二基板表面的第一導溢孔,第一導溢孔設置于第一玻璃基板的中央,第一基板表面包含第一基板線路,第一基板線路包含復數個第一基板接點和復數個第一基板導電凸塊,所述第一基板導電凸塊設置于所述第一玻璃基板的邊緣,所述第一基板接點設置于第一導溢孔的周圍;第一集成電路(即積體電路)裝置,其包含復數個(即多個)第一裝置導電凸塊,所述第一裝置導電凸塊電性連接于所述第一基板接點;第一異方性導電膠,其設置于所述第一裝置導電凸塊和所述第一基板接點的周圍,并通過第一導溢孔導溢;第二玻璃基板,其包含第三基板表面、第四基板表面及貫通第三基板表面和第四基板表面的第二導溢孔,第二導溢孔設置于第二玻璃基板的中央,第三基板表面包含第二基板線路,第二基板線路包含復數個第二基板接點和復數個第二基板導電凸塊,所述第二基板導電凸塊設置于第二玻璃基板的邊緣,所述第二基板接點設置于第二導溢孔的周圍;第二集成電路(即積體電路)裝置,其包含復數個第二裝置導電凸塊,所述第二裝置導電凸塊電性連接于所述第二基板接點;第二異方性導電膠,其設置于所述第二裝置導電凸塊和所述第二基板接點的周圍,并通過所述第二導溢孔導溢;以及封裝主體,其包含第一主體表面及第二主體表面,第一主體表面包含凹槽及主體線路,第一集成電路裝置和第一玻璃基板設置于凹槽內,所述第一基板導電凸塊電性連接于主體線路,第二集成電路裝置和第二玻璃基板設置于第一玻璃基板的上方,所述第二基板導電凸塊電性連接于主體線路。
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