[發明專利]一種太陽能電池載板

在審

• 申請號: 201711126093.2
• 申請日: 2017-11-15
• 公開（公告）號: CN109786312A
• 公開（公告）日: 2019-05-21
• 發明（設計）人: 莊輝虎;林錦山;楊與勝;宋廣華;謝延權;王樹林
• 申請（專利權）人: 福建鈞石能源有限公司
• 主分類號: H01L21/687
• 分類號: H01L21/687;H01L31/18
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發明公開了一種太陽能電池載板，所述載板為一片載板基體單元的獨立單位結構或多片重復的載板基體單元排列組合的整體結構，所述載板基體單元包括載板支撐框、用于支撐硅片四周邊緣的第一階梯凹槽和設于第一階梯凹槽內的第二階梯凹槽，所述第二階梯凹槽內分布有與硅片中間部分點接觸的若干支撐點。本發明通過與硅片中間部分點接觸的若干支撐點與硅片接觸，減少接觸面積，有利降低硅片與載板間的摩擦，減少膜層損傷，有效降低載板對硅片熱影響，方便硅片溫度調整變化，提高硅片的升溫速率，與硅片充分接觸，使得硅片在工藝過程中，具有良好接地，排除工藝過程中的雜散電子對薄膜沉積的影響，提高硅片上的成膜質量和均勻性。

技術領域

本發明涉及太陽能電池制造技術領域，尤其涉及一種太陽能電池載板。

背景技術

載板承載著硅片進入腔室進行非晶硅薄膜沉積，硅片在腔室內快速升溫，使得硅片在短時間內達到工藝所需溫度，是決定鍍膜沉積效率的先決條件。而硅片內各個點的溫度、膜層厚度以及膜層質量的均勻性是決定電池片性能高低的關鍵因素。

硅片的升溫速率和鍍膜均勻性與載板密切相關，傳統的載板結構有全實心結構和全鏤空結構，全實心結構一般為硅片與載板全面積接觸如圖一所示，達到硅片與載板同步加熱，因硅片熱容遠小于載板的熱容，硅片的溫度完全受控于載板，欲把硅片溫度加熱到工藝溫度，必須先把載板的溫度加熱到工藝溫度，嚴重降低了系統的升溫效率，且全面積接觸容易造成硅片的非晶硅膜層與載板產生不同程度的摩擦，影響電池的電氣性能；而全鏤空結構的優點在于硅片與載板的接觸面積少，膜層與載板間摩擦少，同時溫度控制可以通過氣體傳導方式進行，便于控制，然而全鏤空結構如圖二所示，由于硅片中間部分懸空，硅片只有四周邊緣接觸載板接地，造成硅片表面電場分布不均勻，容易造成硅片各點的膜層質量不一，影響電池最終的電氣性能。

因此為了解決上述存在的技術問題，需要設計一種合適太陽能電池鍍膜載板，既能使硅片與載板間摩擦少，避免膜層損傷，且在腔室內迅速升溫，提高鍍膜效率，又能使硅片在沉積過后，片內各個點的膜層質量能達到均一的效果，從而保證制程良率的提升，增加生產效益。

發明內容

針對上述問題，本發明提供了一種太陽能電池載板，使硅片在鍍膜過程中能迅速升溫且硅片上各個點的膜層質量能達到均勻統一的效果。

為解決上述技術問題，本發明所采用的技術方案是：一種太陽能電池載板，所述載板為一片載板基體單元的獨立單位結構或多片重復的載板基體單元排列組合的整體結構，所述載板基體單元包括載板支撐框、用于支撐硅片四周邊緣的第一階梯凹槽和設于第一階梯凹槽內的第二階梯凹槽，所述第二階梯凹槽內分布有與硅片中間部分點接觸的若干支撐點。

進一步的，所述載板及載板基體單元的厚度為1mm～30mm，所述載板基體單元結構上設的第一階梯凹槽深度為0.1mm～1mm。

進一步的，所述載板基體單元結構上的階梯凹槽內外棱角都進行倒角，倒角控制30°～90°之間，防止尖端放電。

進一步的，所述第一階梯凹槽與硅片接觸的階梯為平面結構或傾斜結構，所述第一階梯凹槽的階梯寬度為2-6mm。

進一步的，所述第一階梯凹槽與硅片接觸的階梯為傾斜結構，則所述傾斜結構的傾斜角度控制在15°～50°之間

進一步的，所述第二階梯凹槽為鏤空結構或實心結構。

進一步的，所述第二階梯凹槽為鏤空結構，所述第二階梯凹槽內設有若干平行設置的支撐條，所述支撐條上間隔分布有光滑處理過的支撐點。

進一步的，所述第二階梯凹槽為實心結構，所述第二階梯凹槽內為整塊的實心板，所述實心板上間隔排布有光滑處理過的支撐點。

進一步的，所述支撐點高度與第二凹槽的深度相近，所述支撐點的高度為0.2mm～10mm，支撐點的柱體直徑為1mm～10mm。