[發明專利]用于高速雙極工藝的深槽與PN結混合隔離結構的制造方法有效
| 申請號： | 201711124872.9 | 申請日： | 2017-11-14 |
| 公開（公告）號： | CN107731734B | 公開（公告）日： | 2020-03-31 |
| 發明（設計）人： | 張培健;陳文鎖;易前寧;梁柳洪;冉明 | 申請（專利權）人： | 中國電子科技集團公司第二十四研究所 |
| 主分類號： | H01L21/762 | 分類號： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 尹麗云 |
| 地址： | 400060 *** | 國省代碼： | 重慶;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 高速 工藝 pn 混合 隔離 結構 制造 方法 | ||
1.一種用于高速雙極工藝的深槽與PN結混合隔離結構的制造方法，其特征在于，包括：
在基底硅片上設置掩膜；
在所述掩膜上設置貫穿掩膜的蝕刻窗口，并通過對蝕刻窗口對其下層的基底硅片進行蝕刻，形成深槽；
注入與體硅摻雜類型相反的雜質形成槽底隔離PN結；
剝離所述掩膜，并在體硅表面以及深槽內部制備ONO復合薄膜；
淀積多晶硅將所述深槽填滿；
去除所述深槽外ONO薄膜頂層的氧化硅，利用剩余的氮化硅-氧化硅結構形成有源區；
所述通過對蝕刻窗口對其下層的基底硅片進行蝕刻，形成深槽包括：
通過蝕刻窗口對其下層的基底硅片進行蝕刻，形成截面為倒梯形結構的淺槽；
沿所述淺槽的底面垂直向下繼續蝕刻，形成深槽。
2.根據權利要求1所述的用于高速雙極工藝的深槽與PN結混合隔離結構的制造方法，其特征在于，淀積多晶硅將所述深槽填滿后，對深槽頂部的多晶硅進行回刻，去除深槽外部多余的多晶硅。
3.根據權利要求1所述的用于高速雙極工藝的深槽與PN結混合隔離結構的制造方法，其特征在于，所述掩膜為氧化硅掩膜層，通過光刻工藝，利用光刻膠在所述氧化硅掩膜層上形成光刻膠窗口，并通過所述光刻膠窗口對氧化硅掩膜層進行蝕刻，獲取所述蝕刻窗口。
4.根據權利要求1所述的用于高速雙極工藝的深槽與PN結混合隔離結構的制造方法，其特征在于，所述ONO復合薄膜包括底層氧化層、中層氮化硅層和頂層氧化硅層，所述底層氧化硅層的厚度為800埃～1200埃，中層氮化硅層的厚度為200埃～400埃，頂層氧化硅層的厚度為800埃～1200埃。
5.根據權利要求4所述的用于高速雙極工藝的深槽與PN結混合隔離結構的制造方法，其特征在于，所述利用剩余的氮化硅-氧化硅結構形成有源區包括：對中層氮化硅層進行局部去除，并進行氧化處理，形成LOCOS區域。
6.根據權利要求1所述的用于高速雙極工藝的深槽與PN結混合隔離結構的制造方法，其特征在于：所述蝕刻窗口為環形閉合結構。
7.根據權利要求1所述的用于高速雙極工藝的深槽與PN結混合隔離結構的制造方法，其特征在于，所述淀積多晶硅的厚度大于5000埃。
8.一種用于高速雙極工藝的深槽與PN結混合隔離結構，其特征在于：所述結構通過權利要求1-7任一所述方法制備而成。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
