[發明專利]一種低價態氧化鉭光學鍍膜材料及制備方法

在審

• 申請號: 201711124575.4
• 申請日: 2017-11-14
• 公開（公告）號: CN107892571A
• 公開（公告）日: 2018-04-10
• 發明（設計）人: 秦海波
• 申請（專利權）人: 北京富興凱永興光電技術有限公司
• 主分類號: C04B35/495
• 分類號: C04B35/495;C04B35/622
• 代理公司: 北京市商泰律師事務所11255
• 代理人: 毛燕生

技術領域

本發明涉及一種低價態氧化鉭光學鍍膜材料及制備方法，屬于光學鍍膜材料技術領域。

背景技術

在光學鍍膜領域，五氧化二鉭是常用的一種鍍膜材料，由于其折射率穩定，在光通訊鍍膜領域，高折射率材料通常用真空燒結的五氧化二鉭。但真空燒結的五氧化二鉭，一個致命的特征是材料處于亞穩定狀態。在潮濕空氣中，燒結后的黑色五氧化二鉭會慢慢氧化變成灰白色，這導致材料在使用過程中出現噴濺。

發明內容

為了克服現有技術的不足,本發明提供一種低價態氧化鉭光學鍍膜材料及制備方法。

一種低價態氧化鉭光學鍍膜材料，由五氧化二鉭和金屬鉭粉燒結而成。

五氧化二鉭和金屬鉭粉的摩爾百分比在1：0.3～1：3之間，在真空條件下燒結而成，燒結溫度為在1350℃～1750℃之間，可以形成TaO₂、Ta₂O₃、TaO等幾種低態氧化鉭。

低價態氧化鉭光學鍍膜材料可以是不同尺寸顆粒，也可以是不同尺寸的片。

光學鍍膜材料用于生產光學元件。

一種低價態氧化鉭光學鍍膜材料制備方法,含有以下步驟；

按五氧化二鉭與金屬鉭粉的質量比1：0.3～1:3的比例進行配料、混合、造粒或壓片、真空狀態下燒結，燒結溫度為1350℃～1750℃，形成導電性良好的低價態氧化鉭。

本發明的優點是在五氧化二鉭中加入一定量金屬鉭粉，經成型造粒或壓片，真空燒結，形成低價態的穩定氧化鉭，可在大氣中長期存放，不會發生價態的變化，這樣就解決了真空燒結五氧化二鉭在大氣中不穩定的問題。

具體實施方式

顯然，本領域技術人員基于本發明的宗旨所做的許多修改和變化屬于本發明的保護范圍。

本技術領域技術人員可以理解，除非另外定義，這里使用的所有術語(包括技術術語和科學術語)具有與所屬領域中的普通技術人員的一般理解相同的意義。

為便于對實施例的理解，下面將結合做進一步的解釋說明，且各個實施例并不構成對本發明的限定。

實施例1：

一種低價態氧化鉭光學鍍膜材料及制備方法，在五氧化二鉭中加入一定量金屬鉭粉，經成型造粒或壓片，真空燒結，形成低價態的穩定氧化鉭，可在大氣中長期存放，不會發生價態的變化，這樣就解決了真空燒結五氧化二鉭在大氣中不穩定的問題。

針對真空處理的五氧化二鉭在空氣中不穩定的特性，采用五氧化二鉭和金屬鉭粉的混合，成型燒結，形成低價態氧化鉭，

低價態氧化鉭的質量比為：

五氧化二鉭和金屬鉭粉的摩爾百分比在1：0.3～1:3。

原理如下：

Ta₂O₅+Ta(真空高溫)→Ta₂O_x，

通過調整Ta₂O₅和Ta粉的比例，可以形成穩定的不同低價態的氧化鉭，例如如下反應：

2Ta₂O₅+Ta＝5TaO₂，

3Ta₂O₅+4Ta＝5Ta₂O₃，

Ta₂O₅+3Ta＝5TaO，

一種低價態氧化鉭光學鍍膜材料制備方法,含有以下步驟；

按五氧化二鉭與金屬鉭粉的質量比1：0.3～1:3的比例進行配料、混合、造粒或壓片、真空狀態下燒結，燒結溫度為1350℃～1750℃，形成導電性良好的低價態氧化鉭。

實施例2：

一種低價態氧化鉭光學鍍膜材料制備方法,含有以下步驟；

按五氧化二鉭與金屬鉭粉的質量比2∶1的比例進行配料、混合、造粒或壓片、真空狀態下燒結，燒結溫度為1350℃～1750℃，形成導電性良好的低價態氧化鉭。

實施例3：

一種低價態氧化鉭光學鍍膜材料制備方法,含有以下步驟；

按五氧化二鉭與金屬鉭粉的質量比3∶1的比例進行配料、混合、造粒或壓片、真空狀態下燒結，燒結溫度為1350℃～1750℃，形成導電性良好的低價態氧化鉭。

實施例4：

一種低價態氧化鉭光學鍍膜材料制備方法,含有以下步驟；