[發(fā)明專利]陰極隔離擋墻的制備方法、顯示面板及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711124090.5 | 申請日: | 2017-11-14 |
| 公開(公告)號: | CN107910292B | 公開(公告)日: | 2020-04-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 王治;楊盛際;盧鵬程 | 申請(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/762 | 分類號: | H01L21/762;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京鼎佳達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11348 | 代理人: | 王偉鋒;劉鐵生 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 陰極 隔離 擋墻 制備 方法 顯示 面板 及其 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及光刻工藝技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種陰極隔離擋墻的制備方法、顯示面板及其制備方法。
背景技術(shù)
目前,在顯示面板制造過程中,一般采用陣列工藝在沉底基板上形成圖案化陣列,從而得到顯示面板,這些顯示面板種類比較多,例如:薄膜晶體管陣列面板、有機(jī)發(fā)光二極管陣列面板等。
其中,有機(jī)發(fā)光二極管陣列面板在制備過程中,需要在襯底基板上制備陽極層、陰極條以及用于隔離相鄰兩個陰極條的陰極隔離擋墻,現(xiàn)有技術(shù)中,通常采用光刻工藝將正性光刻膠經(jīng)曝光顯影后形成如圖1所示的截面為正梯形狀的陰極隔離擋墻,但是蒸鍍陰極層時,在陽極層和陰極隔離擋墻上形成的陰極層將會為一體成形結(jié)構(gòu),無法分隔成多個陰極條,這樣就會導(dǎo)致其陰極圖形化效果較差的問題。
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此,本發(fā)明實施例提供一種陰極隔離擋墻的制備方法、顯示面板及其制備方法,主要目的是用于使蒸鍍在該陰極隔離擋墻上的陰極層部分和蒸鍍陽極層上的陰極層部分能夠相互分離,提高陰極圖形化效果。
為達(dá)到上述目的,本發(fā)明主要提供如下技術(shù)方案:
一方面,本發(fā)明實施例提供了一種陰極隔離擋墻的制備方法,包括:
對形成在陽極層上的第一光刻膠層進(jìn)行曝光得到第一隔離擋墻部分;
在所述第一光刻膠層遠(yuǎn)離所述陽極層的一側(cè)形成第二光刻膠層,對所述第二光刻膠層進(jìn)行曝光后得到與所述第一隔離擋墻部分至少部分層疊設(shè)置的第二隔離擋墻部分,其中,所述第一隔離擋墻部分包括貼合于所述第二隔離擋墻部分的第一頂面,所述第二隔離擋墻部分包括貼合于第一隔離擋墻部分的第二底面,所述第一頂面在所述陽極層的正投影位于所述第二底面在所述陽極層的正投影內(nèi);
對所述第一光刻膠層和所述第二光刻膠層進(jìn)行顯影,得到由所述第一隔離擋墻部分和所述第二隔離擋墻部分組成的陰極隔離擋墻。
進(jìn)一步的,所述第一光刻膠層和所述第二光刻膠層均為正性光刻膠層。
進(jìn)一步的,所述第一隔離擋墻部分的高度大于所述第二隔離擋墻部分的高度。
進(jìn)一步的,所述第一隔離擋墻部分的高度為1-2微米,所述第二隔離擋墻部分的高度為0.5-1微米。
進(jìn)一步的,所述第一隔離擋墻部分的第一底面寬度為4-8微米,所述第二隔離擋墻部分的第二底面寬度為6-10微米。
另一方面,本發(fā)明實施例還提供了一種顯示面板的制備方法,包括:
對形成在陽極層上的第一光刻膠層進(jìn)行曝光得到第一隔離擋墻部分;
在所述第一光刻膠層遠(yuǎn)離所述陽極層的一側(cè)形成第二光刻膠層,對所述第二光刻膠層進(jìn)行曝光后得到與所述第一隔離擋墻部分至少部分層疊設(shè)置的第二隔離擋墻部分,其中,所述第一隔離擋墻部分包括貼合于所述第二隔離擋墻部分的第一頂面,所述第二隔離擋墻部分包括貼合于第一隔離擋墻部分的第二底面,所述第一頂面在所述陽極層的正投影位于所述第二底面在所述陽極層的正投影內(nèi);
對所述第一光刻膠層和所述第二光刻膠層進(jìn)行顯影,得到由所述第一隔離擋墻部分和所述第二隔離擋墻部分組成的陰極隔離擋墻。
另一方面,本發(fā)明實施例還提供了一種顯示面板,包括:
陽極層和多個陰極隔離擋墻,每個所述陰極隔離擋墻包括相互層疊設(shè)置的第一隔離擋墻部分和第二隔離擋墻部分,所述第一隔離擋墻部分設(shè)置于所述陽極層上,所述第二隔離擋墻部分設(shè)置于所述第一隔離擋墻背離所述陽極層的一側(cè),其中,所述第一隔離擋墻部分包括貼合于所述第二隔離擋墻部分的第一頂面,所述第二隔離擋墻部分包括貼合于第一隔離擋墻部分的第二底面,所述第一頂面在所述陽極層的正投影位于所述第二底面在所述陽極層的正投影內(nèi)。
進(jìn)一步的,所述第一隔離擋墻部分和所述第二隔離擋墻部分包括正性光刻膠。
進(jìn)一步的,所述第一隔離擋墻部分的高度大于所述第二隔離擋墻部分的高度。
進(jìn)一步的,所述的顯示面板,還包括:
相鄰兩個所述陰極隔離擋墻之間具有間隙,每個陰極隔離擋墻上都依次設(shè)有第一有機(jī)功能層和第一陰極層,而相鄰兩個陰極隔離擋墻之間的所述陽極層區(qū)域上依次鋪設(shè)有第二有機(jī)功能層和第二陰極層,其中,相鄰的所述第一陰極層和所述第二陰極層相互分離。
進(jìn)一步的,多個所述第二陰極層分別對應(yīng)于所述顯示面板的多個位置,多個所述第二陰極層用于加載觸控信號。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





