[發明專利]陰極隔離擋墻的制備方法、顯示面板及其制備方法有效
| 申請號: | 201711124090.5 | 申請日: | 2017-11-14 |
| 公開(公告)號: | CN107910292B | 公開(公告)日: | 2020-04-10 |
| 發明(設計)人: | 王治;楊盛際;盧鵬程 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/762 | 分類號: | H01L21/762;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京鼎佳達知識產權代理事務所(普通合伙) 11348 | 代理人: | 王偉鋒;劉鐵生 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陰極 隔離 擋墻 制備 方法 顯示 面板 及其 | ||
1.一種陰極隔離擋墻的制備方法,其特征在于,包括:
對形成在陽極層上的第一光刻膠層進行曝光得到第一隔離擋墻部分;
在所述第一光刻膠層遠離所述陽極層的一側形成第二光刻膠層,對所述第二光刻膠層進行曝光后得到與所述第一隔離擋墻部分至少部分層疊設置的第二隔離擋墻部分,其中,所述第一隔離擋墻部分包括貼合于所述第二隔離擋墻部分的第一頂面,所述第二隔離擋墻部分包括貼合于第一隔離擋墻部分的第二底面,所述第一頂面在所述陽極層的正投影位于所述第二底面在所述陽極層的正投影內;
對所述第一光刻膠層和所述第二光刻膠層進行顯影,得到由所述第一隔離擋墻部分和所述第二隔離擋墻部分組成的陰極隔離擋墻。
2.根據權利要求1所述的陰極隔離擋墻的制備方法,其特征在于,
所述第一光刻膠層和所述第二光刻膠層均為正性光刻膠層。
3.根據權利要求1所述的陰極隔離擋墻的制備方法,其特征在于,
所述第一隔離擋墻部分的高度大于所述第二隔離擋墻部分的高度。
4.根據權利要求1所述的陰極隔離擋墻的制備方法,其特征在于,
所述第一隔離擋墻部分的高度為1-2微米,所述第二隔離擋墻部分的高度為0.5-1微米。
5.根據權利要求4所述的陰極隔離墻的制備方法,其特征在于,
所述第一隔離擋墻部分的第一底面寬度為4-8微米,所述第二隔離擋墻部分的第二底面寬度為6-10微米。
6.一種顯示面板的制備方法,其特征在于,包括:
對形成在陽極層上的第一光刻膠層進行曝光得到第一隔離擋墻部分;
在所述第一光刻膠層遠離所述陽極層的一側形成第二光刻膠層,對所述第二光刻膠層進行曝光后得到與所述第一隔離擋墻部分至少部分層疊設置的第二隔離擋墻部分,其中,所述第一隔離擋墻部分包括貼合于所述第二隔離擋墻部分的第一頂面,所述第二隔離擋墻部分包括貼合于第一隔離擋墻部分的第二底面,所述第一頂面在所述陽極層的正投影位于所述第二底面在所述陽極層的正投影內;
對所述第一光刻膠層和所述第二光刻膠層進行顯影,得到由所述第一隔離擋墻部分和所述第二隔離擋墻部分組成的陰極隔離擋墻。
7.一種顯示面板,其特征在于,包括:
陽極層和多個陰極隔離擋墻,每個所述陰極隔離擋墻包括層疊設置的第一隔離擋墻部分和第二隔離擋墻部分,所述第一隔離擋墻部分設置于所述陽極層上,所述第二隔離擋墻部分設置于所述第一隔離擋墻背離所述陽極層的一側,其中,所述第一隔離擋墻部分包括貼合于所述第二隔離擋墻部分的第一頂面,所述第二隔離擋墻部分包括貼合于第一隔離擋墻部分的第二底面,所述第一頂面在所述陽極層的正投影位于所述第二底面在所述陽極層的正投影內。
8.根據權利要求7所述的顯示面板,其特征在于,
所述第一隔離擋墻部分和所述第二隔離擋墻部分包括正性光刻膠。
9.根據權利要求7所述的顯示面板,其特征在于,
所述第一隔離擋墻部分的高度大于所述第二隔離擋墻部分的高度。
10.根據權利要求9所述的顯示面板,其特征在于,還包括:
相鄰兩個所述陰極隔離擋墻之間具有間隙,每個陰極隔離擋墻上都依次設有第一有機功能層和第一陰極層,而相鄰兩個陰極隔離擋墻之間的所述陽極層區域上依次鋪設有第二有機功能層和第二陰極層,其中,相鄰的所述第一陰極層和所述第二陰極層相互分離。
11.根據權利要求10所述的顯示面板,其特征在于,
多個所述第二陰極層分別對應于所述顯示面板的多個位置,多個所述第二陰極層用于加載觸控信號。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





