[發(fā)明專利]一種紫外區(qū)半反半透膜及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711122923.4 | 申請日: | 2017-11-14 |
| 公開(公告)號: | CN108133967B | 公開(公告)日: | 2020-01-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 崔小強(qiáng);張丹彤 | 申請(專利權(quán))人: | 吉林大學(xué) |
| 主分類號: | H01L31/0216 | 分類號: | H01L31/0216;H01L31/18 |
| 代理公司: | 33200 杭州求是專利事務(wù)所有限公司 | 代理人: | 黃歡娣;邱啟旺 |
| 地址: | 130012 吉*** | 國省代碼: | 吉林;22 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半反半透膜 硫化鎳 紫外區(qū) 制備 無定型結(jié)構(gòu) 一步水熱法 工藝步驟 晶體組成 條狀結(jié)構(gòu) 傳統(tǒng)的 可控性 纏結(jié) 多層 濺射 能耗 生長 | ||
本發(fā)明公開了一種紫外區(qū)半反半透膜,由無定型結(jié)構(gòu)的硫化鎳晶體組成,所述硫化鎳晶體呈條狀結(jié)構(gòu),且相互纏結(jié);半反半透膜的厚度為200~800nm,硫與鎳的元素比例為37.93:32.86。本發(fā)明還提供了上述半反半透膜的制備方法,與傳統(tǒng)的多層濺射方法相比,這種一步水熱法生長極大的簡化了工藝步驟,減少了能耗以及可控性較強(qiáng)。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種紫外區(qū)半反半透膜及其制備方法。
背景技術(shù)
目前來看,增透膜主要應(yīng)用于太陽能電池、光信息及光電信息、電子產(chǎn)品以及照明等器件表面上,隨著近些年來太陽能能源需求不斷擴(kuò)大、光信息及光電信息技術(shù)飛速發(fā)展,導(dǎo)致人們對增透膜的需求與日俱增。傳統(tǒng)增透膜主要是由硅系、鋯系或其復(fù)合體系材料制備成的單層或者多層膜系。目前的紫外固化樹脂模大都具有較高折射率(1.4以上),高于玻璃表面增透膜的最佳折射率范圍(1.21~1.24),幾乎沒有增透效果甚至?xí)档屯高^率。
本發(fā)明旨在發(fā)明一種太陽能玻璃表面硫化鎳鏡面紫外增透膜,以適應(yīng)200-400納米的紫外光使用。在此波段上,適用的薄膜材料非常有限,即使僅有的極少數(shù)幾種可選材料,由于生產(chǎn)過程需要多層濺射,操作工藝復(fù)雜,制作成本居高不下,難以廣泛應(yīng)用,并且容易受到強(qiáng)輻射腐蝕。本發(fā)明所制備的紫外增透膜,由于一步水熱法合成,大大簡化了工藝流程,降低了制備成本,并且具有良好的半反半透性質(zhì),這種新型的硫化鎳半反半透膜不僅增加一種半透膜的種類,而且極大的簡化了工藝流程,是一種具有潛力的量產(chǎn)的半反半透膜。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種紫外區(qū)半反半透膜及其制備方法。
本發(fā)明的目的是通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)的:一種紫外區(qū)半反半透膜,由無定型結(jié)構(gòu)的硫化鎳晶體組成,所述硫化鎳晶體呈條狀結(jié)構(gòu),且相互纏結(jié);半反半透膜的厚度為200~800nm,硫與鎳的元素比例為37.93:32.86。
一種紫外區(qū)半反半透膜的制備方法,包括以下步驟:
(1)將半胱氨酸和乙酸鎳按照摩爾比2:1,加入到去離子水配成溶液,半胱氨酸的濃度為0.02~0.2mol/L,超聲至溶解,溶液由澄清變成棕色。
(2)將透明基底和上述混合溶液一起放入反應(yīng)釜中,并在150~200攝氏度下反應(yīng)4~7h,使硫化鎳在FTO表面原位生長。
(3)反應(yīng)后在乙醇溶液中浸泡、清洗、烘干,即在透明基底表面得到半反半透膜。
本發(fā)明的有益效果在于:本發(fā)明公開了一種紫外區(qū)半反半透膜,由無定型結(jié)構(gòu)的硫化鎳晶體組成,所述硫化鎳晶體呈條狀結(jié)構(gòu),且相互纏結(jié);半反半透膜的厚度為200~800nm,硫與鎳的元素比例為37.93:32.86。本發(fā)明還提供了上述半反半透膜的制備方法,與傳統(tǒng)的多層濺射方法相比,這種一步水熱法生長極大的簡化了工藝步驟,減少了能耗以及可控性較強(qiáng)。硫化鎳首次被合成出這種具有半反半透效果的薄膜,并且制備工藝簡單,具有優(yōu)異的可控性與實際操作性。
附圖說明
圖1是本發(fā)明制備太陽能玻璃表面紫外區(qū)半反半透膜的光學(xué)照片。
圖2是本發(fā)明制備太陽能玻璃表面紫外區(qū)半反半透膜的紫外透過光譜。
圖3是本發(fā)明制備太陽能玻璃表面紫外區(qū)半反半透膜的掃描電子顯微鏡圖片。
圖4是本發(fā)明制備太陽能玻璃表面紫外區(qū)半反半透膜的EDS元素比例圖。
圖5是本發(fā)明制備太陽能玻璃表面紫外區(qū)半反半透膜的截面圖。
具體實施方式
實施例1:本實施例在太陽能玻璃FTO表面制備硫化鎳鏡面紫外增透膜,具體包括以下步驟:
(1)用2%hallmanexII洗液、去離子水、乙醇分別超聲清洗FTO 30分鐘。
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H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
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H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





