[發明專利]一種紫外區半反半透膜及其制備方法有效
| 申請號： | 201711122923.4 | 申請日： | 2017-11-14 |
| 公開（公告）號： | CN108133967B | 公開（公告）日： | 2020-01-24 |
| 發明（設計）人： | 崔小強;張丹彤 | 申請（專利權）人： | 吉林大學 |
| 主分類號： | H01L31/0216 | 分類號： | H01L31/0216;H01L31/18 |
| 代理公司： | 33200 杭州求是專利事務所有限公司 | 代理人： | 黃歡娣;邱啟旺 |
| 地址： | 130012 吉*** | 國省代碼： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半反半透膜 硫化鎳 紫外區 制備 無定型結構 一步水熱法 工藝步驟 晶體組成 條狀結構 傳統的 可控性 纏結 多層 濺射 能耗 生長 | ||
【權利要求書】：
1.一種紫外區半反半透膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
（1）將半胱氨酸和乙酸鎳按照摩爾比2:1，加入到去離子水配成溶液，半胱氨酸的濃度為0.02~0.2mol/L，超聲至溶解，溶液由澄清變成棕色；
（2）將透明基底和上述溶液一起放入反應釜中，并在150～200攝氏度下反應4～7個小時，使硫化鎳在FTO表面原位生長；
（3）反應后在乙醇溶液中浸泡、清洗、烘干，即在透明基底表面得到半反半透膜。
2.一種權利要求1所述方法制備得到的紫外區半反半透膜，其特征在于，由無定型結構的硫化鎳晶體組成，所述硫化鎳晶體呈條狀結構，且相互纏結；半反半透膜的厚度為200～800nm，硫與鎳的元素比例為37.93：32.86。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
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