[發明專利]陣列基板及其制備方法、顯示面板以及顯示裝置有效
| 申請號: | 201711122259.3 | 申請日: | 2017-11-14 |
| 公開(公告)號: | CN107887398B | 公開(公告)日: | 2022-01-21 |
| 發明(設計)人: | 周鑫博;劇永波;劉偉;靳希康;高建斌;王志敏 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;鄂爾多斯市源盛光電有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/84 |
| 代理公司: | 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 趙天月 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陣列 及其 制備 方法 顯示 面板 以及 顯示裝置 | ||
本發明提供了陣列基板及其制備方法、顯示面板以及顯示裝置。其中,所述陣列基板包括:襯底,所述襯底設置有多個像素區;薄膜晶體管,所述薄膜晶體管設置在所述像素區中,且所述薄膜晶體管的柵極和源漏極之間的層間介質層具有開口,所述開口在所述襯底上的正投影覆蓋所述像素區的至少一部分透光區域。發明人發現,在薄膜晶體管中的層間介質層上設置部分對應像素區透光區域的開口可以有效提高上述陣列基板的透光率,并且能夠減少大視角類不良的發生,進而提高含有上述薄膜晶體管的顯示裝置的顯示質量,提高消費者的消費體驗。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,具體的,涉及陣列基板及其制備方法、顯示面板以及顯示裝置。
背景技術
目前,大多數顯示裝置中的陣列基板中多采用低溫多晶硅產品作為絕緣層,現有的低溫多晶硅一般對光的透過率較低,而透過率差將會嚴重影響到顯示裝置的顯示質量,并且會導致大視角類不良的發生,進而降低顯示裝置的品質,從而限制了顯示裝置的應用。
因而,目前的陣列基板仍有待改進。
發明內容
本發明旨在至少在一定程度上解決相關技術中的技術問題之一。為此,本發明的一個目的在于提出一種透光率高或者可以減少大視角類不良的發生的陣列基板。
在本發明的一個方面,本發明提供了一種陣列基板。根據本發明的實施例,所述陣列基板包括:襯底,所述襯底設置有多個像素區;薄膜晶體管,所述薄膜晶體管設置在所述像素區中,且所述薄膜晶體管的柵極和源漏極之間的層間介質層具有開口,所述開口在所述襯底上的正投影覆蓋所述像素區的至少一部分透光區域。發明人發現,在薄膜晶體管中的層間介質層上設置對應像素區透光區域的開口可以有效提高上述陣列基板的透光率,并且能夠減少大視角類不良的發生,進而提高含有上述薄膜晶體管的顯示裝置的顯示質量,提高消費者的消費體驗。
根據本發明的實施例,所述開口在所述襯底上的正投影與所述透光區域重疊。由此,結構簡單,易于實現,并可以大大提高層間介質層的透光率,較大程度減少大視角類不良的發生。
根據本發明的實施例,所述層間介質層上具有通孔,所述源漏極通過所述通孔與所述薄膜晶體管的有源層電連接。由此,結構簡單,易于實現,并且可以有效地將源漏極和有源層連接起來,進而實現源漏極和柵極的有效連接。
根據本發明的實施例,所述薄膜晶體管包括:有源層,所述有源層設置在所述像素區中;柵絕緣層,所述柵絕緣層設置在所述像素區中,且覆蓋所述有源層;柵極,所述柵極設置在所述柵絕緣層遠離所述襯底的一側;所述層間介質層,所述層間介質層設置在所述柵極遠離所述襯底的一側且覆蓋所述柵極;源漏極,所述源漏極設置在所述層間介質層遠離所述襯底的一側。由此,結構簡單,易于實現,并且上述薄膜晶體管能夠有效地驅動像素單元,使得顯示裝置的顯示質量較佳。
根據本發明的實施例,所述陣列基板進一步包括遮光層,所述遮光層設置在所述襯底和所述薄膜晶體管之間,所述遮光層在所述襯底上的正投影與所述薄膜晶體管的有源層在所述襯底上的正投影部分重疊。由此,結構簡單,易于實現,可以有效實現遮光功能,漏光現象較少。
在本發明的另一方面,本發明提供了一種制備陣列基板的方法。根據本發明的實施例,所述方法包括:提供襯底,所述襯底上具有多個像素區;在所述像素區中形成薄膜晶體管;其中,所述薄膜晶體管的柵極和源漏極之間的層間介質層具有開口,所述開口在所述襯底上的正投影覆蓋所述像素區的至少一部分透光區域。發明人發現,采用上述方法制備陣列基板,操作簡單方便,易于實現,且獲得的陣列基板透光率較高,并且能夠減少大視角類不良的發生從而改善視角類不良。
在本發明的再一方面,本發明提供了一種顯示面板。根據本發明的實施例,所述顯示面板包括前面所述的陣列基板。發明人發現,上述顯示面板結構簡單,易于實現,含有上述陣列基板的顯示面板透光率較高,大視角類不良得到有效改善,顯示質量較高。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





