[發明專利]陣列基板及其制備方法、顯示面板以及顯示裝置有效
| 申請號： | 201711122259.3 | 申請日： | 2017-11-14 |
| 公開（公告）號： | CN107887398B | 公開（公告）日： | 2022-01-21 |
| 發明（設計）人： | 周鑫博;劇永波;劉偉;靳希康;高建斌;王志敏 | 申請（專利權）人： | 京東方科技集團股份有限公司;鄂爾多斯市源盛光電有限責任公司 |
| 主分類號： | H01L27/12 | 分類號： | H01L27/12;H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 趙天月 |
| 地址： | 100015 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 陣列 及其 制備 方法 顯示 面板 以及 顯示裝置 | ||
1.一種陣列基板，其特征在于，包括：
襯底，所述襯底設置有多個像素區；
薄膜晶體管，所述薄膜晶體管設置在所述像素區中，所述薄膜晶體管包括：
有源層，所述有源層設置在所述像素區中；
柵絕緣層，所述柵絕緣層設置在所述像素區中，且覆蓋所述有源層；
柵極，所述柵極設置在所述柵絕緣層遠離所述襯底的一側；
層間介質層，所述層間介質層設置在所述柵極遠離所述襯底的一側且覆蓋所述柵極，所述層間介質層具有開口，所述開口在所述襯底上的正投影與透光區域重疊；
源漏極，所述源漏極設置在所述層間介質層遠離所述襯底的一側；
其中，所述像素區的光線透過所述層間介質層出射。
2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述層間介質層上具有通孔，所述源漏極通過所述通孔與所述薄膜晶體管的有源層電連接。
3.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，進一步包括遮光層，所述遮光層設置在所述襯底和所述薄膜晶體管之間，所述遮光層在所述襯底上的正投影與所述薄膜晶體管的有源層在所述襯底上的正投影部分重疊。
4.一種制備陣列基板的方法，其特征在于，包括：
提供襯底，所述襯底上具有多個像素區；
在所述像素區中形成薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括：
有源層，所述有源層設置在所述像素區中；
柵絕緣層，所述柵絕緣層設置在所述像素區中，且覆蓋所述有源層；
柵極，所述柵極設置在所述柵絕緣層遠離所述襯底的一側；
層間介質層，所述層間介質層設置在所述柵極遠離所述襯底的一側且覆蓋所述柵極；
源漏極，所述源漏極設置在所述層間介質層遠離所述襯底的一側；
其中，所述層間介質層具有開口，所述開口在所述襯底上的正投影與透光區域重疊；
其中，所述像素區的光線透過所述層間介質層出射。
5.一種顯示面板，其特征在于，包括權利要求1-3中任一項所述的陣列基板。
6.一種顯示裝置，其特征在于，包括權利要求5所述的顯示面板。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
