[發(fā)明專利]LTPS薄膜晶體管、陣列基板及其制作方法、顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711121996.1
• 申請日: 2017-11-14
• 公開（公告）號: CN107910378B
• 公開（公告）日: 2021-01-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 班圣光;曹占鋒;姚琪;薛大鵬
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/336
• 代理公司: 北京銀龍知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;張博

本發(fā)明提供了一種LTPS薄膜晶體管、陣列基板及其制作方法、顯示裝置，屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域。其中，LTPS薄膜晶體管的制作方法，包括：通過一次構(gòu)圖工藝在襯底基板上形成遮光圖形和所述LTPS薄膜晶體管的有源層，所述有源層在所述襯底基板上的正投影落入所述遮光圖形在所述襯底基板上的正投影中，所述遮光圖形采用半導(dǎo)體材料制成。本發(fā)明的技術(shù)方案能夠降低低溫多晶硅陣列基板的制作成本，有效提升低溫多晶硅陣列基板的產(chǎn)能。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是指一種LTPS薄膜晶體管、陣列基板及其制作方法、顯示裝置。

背景技術(shù)

隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，LTPS(Low Temperature Poly-silicon，低溫多晶硅)背板技術(shù)由于其高的遷移率帶來的高的開口率、可以實現(xiàn)GOA(Gate Drive on Array，柵極集成驅(qū)動)等原因，使得基于該技術(shù)的顯示面板相比于基于a-Si(非晶硅)技術(shù)的顯示面板具有更加優(yōu)良的顯示效果，正在受到越來越大的重視，也是現(xiàn)在小尺寸LCD(Liquid CrystalDisplay，液晶顯示器)的一個重要分支。但是現(xiàn)有的LTPS陣列基板具有工藝復(fù)雜，成本較高的問題，相比于傳統(tǒng)a-Si陣列基板需要4～5道Mask工藝來制作，LTPS陣列基板需要9道以上的Mask工藝來制作，使得LTPS陣列基板的生產(chǎn)成本較高，并且制約了LTPS陣列基板的產(chǎn)能。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種LTPS薄膜晶體管、陣列基板及其制作方法、顯示裝置，能夠降低低溫多晶硅陣列基板的制作成本，有效提升低溫多晶硅陣列基板的產(chǎn)能。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的實施例提供技術(shù)方案如下：

一方面，提供一種LTPS薄膜晶體管的制作方法，包括：

通過一次構(gòu)圖工藝在襯底基板上形成遮光圖形和所述LTPS薄膜晶體管的有源層，所述有源層在所述襯底基板上的正投影落入所述遮光圖形在所述襯底基板上的正投影中，所述遮光圖形采用半導(dǎo)體材料制成。

進一步地，所述遮光圖形采用的半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電系數(shù)大于非晶硅的導(dǎo)電系數(shù)。

進一步地，利用重摻雜非晶硅制成所述遮光圖形。

進一步地，所述制作方法具體包括：

在所述襯底基板上形成第一緩沖層；

在所述第一緩沖層上形成重摻雜非晶硅層；

在所述重摻雜非晶硅層上形成第二緩沖層；

在所述第二緩沖層上形成多晶硅層；

在所述多晶硅層上涂覆光刻膠，進行曝光后形成光刻膠去除區(qū)域和光刻膠保留區(qū)域，去除光刻膠去除區(qū)域的重摻雜非晶硅層、第二緩沖層和所述多晶硅層，形成所述遮光圖形和所述有源層；

剝離光刻膠保留區(qū)域的光刻膠。

進一步地，所述在所述第一緩沖層上形成重摻雜非晶硅層包括：

通過等離子體增強化學(xué)氣相沉積PECVD在所述第一緩沖層上形成所述重摻雜非晶硅層。

本發(fā)明實施例還提供了一種LTPS薄膜晶體管，采用如上所述的制作方法制作得到。

進一步地，在所述遮光圖形采用重摻雜非晶硅制成時，所述遮光圖形的厚度為

本發(fā)明實施例還提供了一種LTPS陣列基板的制作方法，采用如上所述的制作方法在襯底基板上制作LTPS薄膜晶體管。

本發(fā)明實施例還提供了一種LTPS陣列基板，包括位于襯底基板上的如上所述的LTPS薄膜晶體管。

本發(fā)明實施例還提供了一種顯示裝置，包括如上所述的LTPS陣列基板。