[發明專利]LTPS薄膜晶體管、陣列基板及其制作方法、顯示裝置

有效

• 申請號: 201711121996.1
• 申請日: 2017-11-14
• 公開（公告）號: CN107910378B
• 公開（公告）日: 2021-01-26
• 發明（設計）人: 班圣光;曹占鋒;姚琪;薛大鵬
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/336
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;張博

1.一種LTPS薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，包括：

通過一次構圖工藝在襯底基板上形成遮光圖形和所述LTPS薄膜晶體管的有源層，所述有源層在所述襯底基板上的正投影落入所述遮光圖形在所述襯底基板上的正投影中，所述遮光圖形采用半導體材料制成；

通過等離子體增強化學氣相沉積PECVD利用重摻雜非晶硅制成所述遮光圖形，所述重摻雜非晶硅中的p離子分布均勻，p離子在所述重摻雜非晶硅層的表面和內部的濃度不存在差異，所述遮光圖形的方塊電阻小于1000Ω/口。

2.根據權利要求1所述的LTPS薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述制作方法具體包括：

在所述襯底基板上形成第一緩沖層；

在所述第一緩沖層上形成重摻雜非晶硅層；

在所述重摻雜非晶硅層上形成第二緩沖層；

在所述第二緩沖層上形成多晶硅層；

在所述多晶硅層上涂覆光刻膠，進行曝光后形成光刻膠去除區域和光刻膠保留區域，去除光刻膠去除區域的重摻雜非晶硅層、第二緩沖層和所述多晶硅層，形成所述遮光圖形和所述有源層；

剝離光刻膠保留區域的光刻膠。

3.根據權利要求2所述的LTPS薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述在所述第一緩沖層上形成重摻雜非晶硅層包括：

通過等離子體增強化學氣相沉積PECVD在所述第一緩沖層上形成所述重摻雜非晶硅層。

4.一種LTPS薄膜晶體管，其特征在于，采用如權利要求1-3中任一項所述的制作方法制作得到。

5.根據權利要求4所述的LTPS薄膜晶體管，其特征在于，在所述遮光圖形采用重摻雜非晶硅制成時，所述遮光圖形的厚度為

6.一種LTPS陣列基板的制作方法，其特征在于，采用如權利要求1-3中任一項所述的制作方法在襯底基板上制作LTPS薄膜晶體管。

7.一種LTPS陣列基板，其特征在于，包括位于襯底基板上的如權利要求4或5所述的LTPS薄膜晶體管。

8.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求7所述的LTPS陣列基板。